3族窒化物半導体発光素子及びその製造方法

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	3族窒化物半導体発光素子及びその製造方法
其他题名	3族窒化物半導体発光素子及びその製造方法
	小池正好; 永井誠二
	1999-05-11
专利权人	豊田合成株式会社
公开日期	1999-05-11
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】成長過程において量子箱が形成されるようにすることで、量子箱としての特性の向上及び製造の容易化を図ること。【解決手段】活性層6は、膜厚約5nmのAl0.05Ga0.95N から成る障壁層62とその障壁層の中にGa0.8In0.2N から成る井戸箱61が島状に点在する量子箱構造である。Ga0.8In0.2N の格子定数とAl0.05Ga0.95N の格子定数の差のGa0.8In0.2N の格子定数に対する割合を0.02より大きくすることで、障壁層の上にGa0.8In0.2N を成長させる時、面状ではなく、点島状に成長することから、成長過程において、障壁層の中に井戸箱を点在させた量子箱構造を製造することができる。量子箱構造に活性層を形成したので、キャリア閉じ込め効果が高くなり、発光効率が向上する。又、薄膜成長工程において、量子箱が形成されるために、製造が極めて簡単となる。
其他摘要	要解决的问题：通过在生长过程中形成量子盒来改善量子盒的特性并促进制造。有源层包括由Al Ga 0.95 N形成的阻挡层，膜厚度为约5nm且Ga 0.8 0.2 N是量子盒结构，其中岛状阱盒61是点状的。 Ga In 0.2 N晶格常数和晶格常数Al 0.05 Ga 0.95 子> 0.8 在 0.2 比例为大于0.02相对于N，镓 0.8在阻挡层上在晶格常数 0.2 N以点状岛状而不是平面状态生长，可以制造量子盒结构，其中在生长过程中孔盒散布在阻挡层中。由于有源层形成在量子盒结构中，所以增强了载流子限制效应并提高了发光效率。而且，由于量子盒是在薄膜生长步骤中形成的，因此制造非常简单。
主权项	-
申请日期	1997-10-21
专利号	JP1999126949A
专利状态	失效
申请号	JP1997307944
公开（公告）号	JP1999126949A
IPC 分类号	G11B33/12 \| H01S5/323 \| H05K5/02 \| H01S5/343 \| H01L33/12 \| H01L33/06 \| H01L33/32 \| H01S5/00 \| H01S3/18 \| H01L33/00
专利代理人	藤谷修
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/60119
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	豊田合成株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	小池正好,永井誠二. 3族窒化物半導体発光素子及びその製造方法. JP1999126949A[P]. 1999-05-11.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1999126949A.PDF（67KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文