Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| GaN系発光素子 | |
| 其他题名 | GaN系発光素子 |
| 小池 正好; 永井 誠二; 山崎 史郎; 平松 敏夫; 赤崎 勇; 天野 浩 | |
| 1998-05-29 | |
| 专利权人 | TOYODA GOSEI CO LTD |
| 公开日期 | 1998-05-29 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 発光層に注入されたキャリヤに対する閉じ込め効果が高くかつクラックが入り難くしたGaN系発光素子を提供する。 【解決手段】 基板1と、発光層5と、発光層5を挟むようにして配置された第1のクラッド層3及び第2のクラッド層7と、発光層5と第1及び第2のクラッド層3、7との間に設けられてキャリアの透過を防止するストッパ層4、6とを備えてなる発光素子において、ストッパ層におけるAlの組成とその膜厚、及びクラッド層のAlの組成とその膜厚を適当に調節する。例えば、第2のストッパ層6をAlX2Ga1ーX2N:X2=0.1〜0.5で形成し、かつ厚さを10〜50nmとし、第2のクラッド層7をAlY2Ga1ーY2N:Y2=0〜0.15で形成し、かつその厚さを100〜1000nmとする。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：提供基于GaN的发光元件，其对注入发光层的载流子具有高限制效应并且难以产生裂缝。解决方案：发光元件设置有基板1，发光层5，第一包层3和第二包层7，它们被布置成夹着发光层5，以及阻挡层5和6。在发光层5与第一和第二包层3和7之间提供并且防止载流子透射。阻挡层6中的Al的组成，其在包层7中的膜厚度和Al的组成，其膜厚度被适当地调节。例如，第二阻挡层6形成为AlX2Ga1-X2N：X2 = 0.1至0.5，厚度为10至50nm，第二覆盖层7形成为AlY2Ga1-Y2N：Y2 = 0至0.15和厚度为100至1000nm。 |
| 主权项 | - |
| 申请日期 | 1996-11-06 |
| 专利号 | JP1998145004A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1996311441 |
| 公开（公告）号 | JP1998145004A |
| IPC 分类号 | H01S5/323 | H01S5/343 | H01L33/06 | H01L33/32 | H01S5/00 | H01S3/18 | H01L33/00 |
| 专利代理人 | 小西 富雅 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64768 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | TOYODA GOSEI CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小池 正好,永井 誠二,山崎 史郎,等. GaN系発光素子. JP1998145004A[P]. 1998-05-29. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1998145004A.PDF（50KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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