3族窒化物半導体レーザダイオードの製造方法

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	3族窒化物半導体レーザダイオードの製造方法
其他题名	3族窒化物半導体レーザダイオードの製造方法
	山崎史郎; 永井誠二; 小池正好
	1997-10-31
专利权人	豊田合成株式会社
公开日期	1997-10-31
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】レーザダイオードの共振器端面の平行度を向上させると共に電流を供給する下層の抵抗を小さくし、発振効率を向上させる【解決手段】レーザダイオードの下層に対する電極を形成するために、上層の一部をエッチングして下層の一部を露出させるエッチングを行い、その後に、上層と下層の電極を形成した後、共振器端面を形成するためのエッチングを行う。電極形成のためのエッチングと共振器端面を形成するエッチングとを分離して行っているため、共振器端面を形成するエンチングを深く実行できるため、エッチング溝の垂直度の高い部分を共振器端面とすることができる。又、電極形成のエッチング溝は端面形成とは別に実行されるため、活性層に電流を供給する下層の厚さがこのエッチングで薄くなることがなく、その層の抵抗を小さくできる。端面形成は電極形成後であるので端面の汚染が防止され、反射率を向上できる。
其他摘要	要解决的问题：通过分别对上层的一部分进行蚀刻处理和蚀刻，提高谐振器端面的垂直度和表面镜面光泽，抑制电流源下层的电阻增加，提高发光效率形成谐振器端面的工艺。解决方案：由III族氮化物半导体构成的各层（缓冲层2，高载流子浓度N +层3，包层4，有源层5，包层61，接触层62）为了形成对应于下层3,62的电极8,7，蚀刻上层的一部分，并在暴露的下层和上层上形成电极层。之后，蚀刻各个层以形成谐振器的端面。以这种方式，分别执行上层的一部分的蚀刻工艺和用于形成谐振器端面的蚀刻工艺。由此可以独立地控制蚀刻深度，并且能够进行蚀刻以获得其中暴露形成电极所需的下层表面和谐振器端面的垂直度的深度。
主权项	-
申请日期	1996-04-17
专利号	JP1997283861A
专利状态	失效
申请号	JP1996120905
公开（公告）号	JP1997283861A
IPC 分类号	H01S5/02 \| H01L \| H01S \| H01S5/343 \| H01L33/12 \| H01S5/323 \| H01L33/14 \| H01L33/10 \| H01L33/32 \| H01S5/10 \| H01S5/00 \| H01S3/18 \| H01L33/00
专利代理人	藤谷修
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67872
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	豊田合成株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	山崎史郎,永井誠二,小池正好. 3族窒化物半導体レーザダイオードの製造方法. JP1997283861A[P]. 1997-10-31.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1997283861A.PDF（73KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文