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半導体レーザ装置の製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3766738B2, 申请日期: 2006-02-03, 公开日期: 2006-04-19
发明人:  田中 俊明;  百瀬 正之;  比留間 健之
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半導体発光装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999274635A, 申请日期: 1999-10-08, 公开日期: 1999-10-08
发明人:  田中 俊明;  比留間 健之;  濱田 博
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光半導体素子,光半導体素子の製造方法,光半導体装置,光ディスクシステムおよび光磁気ディスクシステム 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999261165A, 申请日期: 1999-09-24, 公开日期: 1999-09-24
发明人:  比留間 健之;  百瀬 正之;  浜田 博
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半導体光素子の製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999135875A, 申请日期: 1999-05-21, 公开日期: 1999-05-21
发明人:  百瀬 正之;  田中 俊明;  比留間 健之
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半導体装置およびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998335745A, 申请日期: 1998-12-18, 公开日期: 1998-12-18
发明人:  比留間 健之;  中塚 慎一;  田中 俊明;  濱田 博
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半導体発光素子 专利
专利类型: 授权发明, 授权发明, 专利号: JP1995012100B2, JP1995012100B2, 申请日期: 1995-02-08, 1995-02-08, 公开日期: 1995-02-08, 1995-02-08
发明人:  福沢 董;  山田 栄三郎;  比留間 健之;  松村 宏善
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半導体レーザ 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1994260721A, 申请日期: 1994-09-16, 公开日期: 1994-09-16
发明人:  宇佐川 利幸;  矢沢 正光;  比留間 健之
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