光半導体素子,光半導体素子の製造方法,光半導体装置,光ディスクシステムおよび光磁気ディスクシステム

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	光半導体素子,光半導体素子の製造方法,光半導体装置,光ディスクシステムおよび光磁気ディスクシステム
其他题名	光半導体素子,光半導体素子の製造方法,光半導体装置,光ディスクシステムおよび光磁気ディスクシステム
	比留間健之; 百瀬正之; 浜田博
	1999-09-24
专利权人	日本オプネクスト株式会社
公开日期	1999-09-24
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】半導体レーザなど発光素子の光出力端面の破壊レベルを向上させ、高出力化に適した構造にするための複雑な製造工程を簡略化する。【解決手段】ヘテロ接合を混晶化させるための不純物を含む膜を基板上に形成せず、AlGaInP/InGaPヘテロ接合量子井戸薄膜を含む構造をレーザ光により、局所的に直接加熱溶融させてエネルギーバンドギャップの大きい混晶部を形成する。この混晶部を半導体レーザ素子の両面の出射面部分に設ける。【効果】半導体レーザ素子の製造工程短縮、簡略化により、製造歩留まりが向上する。
其他摘要	要解决的问题：通过半导体层叠频率的一部分形成光导的方式简化制造工艺，其一部分形成中间构件的混晶部分。通过半导体薄膜的相互融合。解决方案：在衬底1的顶面上，形成n型AlGaInP覆层22，有源层23，p型AlGaInP覆层24，蚀刻停止层25和p型AlGaInP覆层42以构成半导体叠层在其表面上照射激光束以局部加热和熔化半导体层压膜，从而使其变成中间组分。形成混合晶体部分9.半导体层叠膜的有源层23形成光导，并且混合晶体部分9形成在光导的一部分上。通过形成混晶部分9，避免了由于光吸收引起的损失，从而延长了半导体元件的寿命。混合晶体部分9可以仅通过激光束的照射形成，并且可以降低制造成本。
主权项	-
申请日期	1998-03-13
专利号	JP1999261165A
专利状态	失效
申请号	JP1998063166
公开（公告）号	JP1999261165A
IPC 分类号	H01S5/323 \| G11B7/135 \| H01S5/343 \| G11B7/125 \| H01S5/00 \| H01S5/16 \| H01S3/18
专利代理人	秋田収喜
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65947
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	日本オプネクスト株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	比留間健之,百瀬正之,浜田博. 光半導体素子,光半導体素子の製造方法,光半導体装置,光ディスクシステムおよび光磁気ディスクシステム. JP1999261165A[P]. 1999-09-24.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1999261165A.PDF（154KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文