Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ装置の製造方法 | |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
| 田中 俊明; 百瀬 正之; 比留間 健之 | |
| 2006-02-03 | |
| 专利权人 | 日本オプネクスト株式会社 |
| 公开日期 | 2006-04-19 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 【課題】本発明は、共振器端面の破壊現象に制限されない高出力特性を安定に確保できる半導体レーザ素子を提供する。本発明は光情報処理或いは光通信システム用途に有用である。 【解決手段】半導体レーザ装置の共振器の活性層領域端面近傍に対して、禁制帯幅が共振器中央部よりも大きく設定した窓構造を有する。発光活性層の水平方向から不純物拡散を行う。特に、活性層領域を含むストライプ構造の両側より拡散するのが有用である。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：通过设置沿着有源层区域扩散杂质的方向，垂直于光学谐振器的光轴到晶体中杂质扩散率高的方向来稳定地确保高输出特性在有源层区域中生长晶体的平面。解决方案：制造方法包括以下步骤：在半导体衬底的顶部上形成具有有源层区域和光导层区域的条带区域101，局部地图案化位于条带区域101附近的杂质扩散源102，使得内部局部图案102位于对应于激光束发射端面的位置，并且根据晶体特性将杂质朝向图案102的水平方向的中心的条带区域101扩散，其中有源层区域设置为方向（110）或（010），其中杂质扩散速率在生长晶体的平面中高。 |
| 申请日期 | 1997-08-22 |
| 专利号 | JP3766738B2 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1997226563 |
| 公开（公告）号 | JP3766738B2 |
| IPC 分类号 | H01S5/16 | G11B7/125 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 小川 勝男 |
| 代理机构 | 特許業務法人 日東国際特許事務所 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/69369 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本オプネクスト株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 田中 俊明,百瀬 正之,比留間 健之. 半導体レーザ装置の製造方法. JP3766738B2[P]. 2006-02-03. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP3766738B2.PDF（188KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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