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| 封装件 专利 专利类型: 授权发明, 专利号: CN100517888C, 申请日期: 2009-07-22, 公开日期: 2009-07-22 发明人: 吉田浩; 东条刚; 小泽正文
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| 多光束型半导体激光器、半导体发光器件以及半导体装置 专利 专利类型: 授权发明, 专利号: CN100376064C, 申请日期: 2008-03-19, 公开日期: 2008-03-19 发明人: 东条刚; 矢吹义文; 安斋信一; 日野智公; 后藤修; 藤本强; 松本治; 竹谷元伸; 大藤良夫
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| 半导体光发射装置以及一种装置 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: CN1933203A, 申请日期: 2007-03-21, 公开日期: 2007-03-21 发明人: 朝妻庸纪; 冨谷茂隆; 玉村好司; 东条刚; 后藤修; 元木健作
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| 多光束半导体激光器 专利 专利类型: 授权发明, 专利号: CN1305193C, 申请日期: 2007-03-14, 公开日期: 2007-03-14 发明人: 东条刚; 日野智公; 后藤修; 矢吹义文; 安斋信一; 内田史朗; 池田昌夫
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| 半導体レーザ 专利 专利类型: 授权发明, 专利号: JP3508423B2, 申请日期: 2004-01-09, 公开日期: 2004-03-22 发明人: 東條 剛; 平田 照二
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| 氮基半导体激光器件和其生产方法 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: CN1457539A, 申请日期: 2003-11-19, 公开日期: 2003-11-19 发明人: 山口恭司; 小林高志; 小林俊雅; 喜岛悟; 富冈聪; 安斋信一; 东条刚
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| 半導體雷射裝置及其製造方法 专利 专利类型: 授权发明, 专利号: TW535337B, 申请日期: 2003-06-01, 公开日期: 2003-06-01 发明人: 內田史朗; 東條剛
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| 半导体器件及其制造方法和用于制造半导体器件的衬底 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: CN1231533A, 申请日期: 1999-10-13, 公开日期: 1999-10-13 发明人: 小林俊雅; 东条刚
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| 半導体レーザおよびその製造方法 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999026868A, 申请日期: 1999-01-29, 公开日期: 1999-01-29 发明人: 東條 剛; 浅野 竹春
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| 半導体発光素子 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: JP1997167879A, 申请日期: 1997-06-24, 公开日期: 1997-06-24 发明人: 東條 剛; 小沢 正文; 池田 昌夫
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