半導體雷射裝置及其製造方法

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	半導體雷射裝置及其製造方法
其他题名	半導體雷射裝置及其製造方法
	內田史朗; 東條剛
	2003-06-01
专利权人	新力股份有限公司
公开日期	2003-06-01
授权国家	中国台湾
专利类型	授权发明
摘要	一種製造脊狀波導形式之半導體雷射元件的方法，可使此元件具有大的半寬值以及高扭曲準位。首先，脊狀區域之等效折射率neff1與脊狀區域兩側之等效折射率neff2的差值△n可表示為△n=neff1-neff2，且脊狀區域之寬度視為W。在此假定之下，下述三個方程式中的常數“a”、“b”、“c”以及“d”將位於X-Y座標上(X-軸：W，Y-軸：△n)。第一個方程式可表為△n≦axW+b，其中“a”與“b”為決定扭曲準位之常數。第二個方程式則表為W≧c，其中“c”為指出當脊狀區域形成時之最小脊狀區域寬度的常數。第三個方程式表示成△n≧d，其中“d”係依據所需之半寬值θpara所決定的常數。於是至少其中某絕緣層之種類與厚度、或於絕緣層上之電極層厚度、或位於脊狀區域兩側之上被覆層部份的種類與厚度，業經指定後，可使△n與W之某種組合能滿足上述三個方程式。
其他摘要	一種製造脊狀波導形式之半導體雷射元件的方法，可使此元件具有大的半寬值以及高扭曲準位。首先，脊狀區域之等效折射率neff1與脊狀區域兩側之等效折射率neff2的差值△n可表示為△n=neff1-neff2，且脊狀區域之寬度視為W。在此假定之下，下述三個方程式中的常數“a”、“b”、“c”以及“d”將位於X-Y座標上(X-軸：W，Y-軸：△n)。第一個方程式可表為△n≦axW+b，其中“a”與“b”為決定扭曲準位之常數。第二個方程式則表為W≧c，其中“c”為指出當脊狀區域形成時之最小脊狀區域寬度的常數。第三個方程式表示成△n≧d，其中“d”係依據所需之半寬值θpara所決定的常數。於是至少其中某絕緣層之種類與厚度、或於絕緣層上之電極層厚度、或位於脊狀區域兩側之上被覆層部份的種類與厚度，業經指定後，可使△n與W之某種組合能滿足上述三個方程式。
申请日期	2002-04-03
专利号	TW535337B
专利状态	失效
申请号	TW091106775
公开（公告）号	TW535337B
IPC 分类号	H01S5/22 \| H01S5/223 \| H01S5/042 \| H01S5/323 \| H01S5/343 \| H01S3/18
专利代理人	陳長文
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89959
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	新力股份有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	內田史朗,東條剛. 半導體雷射裝置及其製造方法. TW535337B[P]. 2003-06-01.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
TW535337B.PDF（2340KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文