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一种GaN衬底的制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN102201332A, 申请日期: 2011-09-28, 公开日期: 2011-09-28
发明人:  于彤军;  龙浩;  张国义;  吴洁君;  贾传宇;  杨志坚
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一种基于同质外延制备高效光电子器件的方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101976713A, 申请日期: 2011-02-16, 公开日期: 2011-02-16
发明人:  于彤军;  方浩;  陶岳彬;  李兴斌;  陈志忠;  杨志坚;  张国义
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一种制备自支撑单晶氮化镓衬底的方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101685768A, 申请日期: 2010-03-31, 公开日期: 2010-03-31
发明人:  张国义;  杨志坚;  方浩;  李丁;  桑立雯;  陶岳彬;  康香宁;  孙永健;  陆羽;  赵璐冰
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氮化物基脊型发光二极管和激光器及制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101257080A, 申请日期: 2008-09-03, 公开日期: 2008-09-03
发明人:  胡晓东;  张国义;  章蓓;  杨志坚;  康香宁;  李睿;  陈伟华;  赵璐冰;  李丁
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自然解理腔面的GaN基激光二极管的制备方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN100352116C, 申请日期: 2007-11-28, 公开日期: 2007-11-28
发明人:  康香宁;  胡晓东;  王琦;  章蓓;  杨志坚;  徐科;  陈志忠;  于彤军;  秦志新;  张国义
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GaN基外延层的大面积、低功率激光剥离方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1779900A, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2006-05-31
发明人:  张国义;  康香宁;  陈志忠;  陈皓明;  秦志新;  于彤军;  胡晓东;  章蓓;  杨志坚
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