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用于中红外分布反馈光栅制备的全息曝光光路调整方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN102540475B, 申请日期: 2014-10-22, 公开日期: 2014-10-22
发明人:  李耀耀;  李爱珍;  张永刚;  丁惠凤;  李好斯白音;  曹远迎
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一种中红外激光器的制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN102593718A, 申请日期: 2012-07-18, 公开日期: 2012-07-18
发明人:  李耀耀;  李爱珍;  张永刚;  丁惠凤;  李好斯白音
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使半导体激光器在宽温区可靠工作的低应力封装装置及方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN101741011B, 申请日期: 2011-05-04, 公开日期: 2011-05-04
发明人:  李耀耀;  张永刚;  李爱珍
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一种用于半导体激光器腔面镀膜的装置和方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101748367A, 申请日期: 2010-06-23, 公开日期: 2010-06-23
发明人:  李耀耀;  李爱珍
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基于半导体激光器跳模特性的气体测量方法及其传感器 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1995973B, 申请日期: 2010-04-07, 公开日期: 2010-04-07
发明人:  张永刚;  李爱珍;  齐鸣;  封松林
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可调谐分布反馈量子级联激光器的波导与光栅的结构及所述光栅的制备方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN100405681C, 申请日期: 2008-07-23, 公开日期: 2008-07-23
发明人:  徐刚毅;  李耀耀;  李爱珍
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磷化铟基量子级联激光器原子层尺度外延材料质量控制方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN100373723C, 申请日期: 2008-03-05, 公开日期: 2008-03-05
发明人:  李爱珍;  林春;  李华;  李存才;  胡建;  顾溢;  张永刚;  徐刚毅
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磷化铟基中红外波段量子级联激光器缓冲层及其制备方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN100373722C, 申请日期: 2008-03-05, 公开日期: 2008-03-05
发明人:  李爱珍;  陈建新;  徐刚毅;  张永刚
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单片双芯或多芯半导体激光气体传感器、制作及使用方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1945284A, 申请日期: 2007-04-11, 公开日期: 2007-04-11
发明人:  张永刚;  李爱珍;  齐鸣;  封松林
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用于中红外分布反馈量子级联激光器的全息光栅刻蚀方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1737611A, 申请日期: 2006-02-22, 公开日期: 2006-02-22
发明人:  徐刚毅;  李爱珍
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