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单片双芯或多芯半导体激光气体传感器、制作及使用方法
其他题名单片双芯或多芯半导体激光气体传感器、制作及使用方法
张永刚; 李爱珍; 齐鸣; 封松林
2007-04-11
专利权人中国科学院上海微系统与信息技术研究所
公开日期2007-04-11
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要本发明涉及一种单片双芯或多芯半导体激光气体传感器,其特征在于它由封装于同一管壳热沉上的制作于同一单片衬底上的激光器芯组成的单片双芯或多芯激光器、用于热沉温度控制的热电控温电路、时分驱动电路、用于吸收和参比光信号探测的光电探测器、放大及时分解调电路、以及比较电路和显示输出电路组成。本发明利用目标气体对吸收激光器产生的特定波长激光的吸收特性进行气体浓度测量,也利用目标气体对参比激光器产生的相近特定波长激光的透过特性作为参比信号以抵消其他损耗和波动的影响。此传感器的核心是单片双芯或多芯半导体激光器和一只光电探测器,易于一体化、小型化和集成化;是一种普适的采用半导体激光的气体传感器,通用性强。
其他摘要本发明涉及一种单片双芯或多芯半导体激光气体传感器,其特征在于它由封装于同一管壳热沉上的制作于同一单片衬底上的激光器芯组成的单片双芯或多芯激光器、用于热沉温度控制的热电控温电路、时分驱动电路、用于吸收和参比光信号探测的光电探测器、放大及时分解调电路、以及比较电路和显示输出电路组成。本发明利用目标气体对吸收激光器产生的特定波长激光的吸收特性进行气体浓度测量,也利用目标气体对参比激光器产生的相近特定波长激光的透过特性作为参比信号以抵消其他损耗和波动的影响。此传感器的核心是单片双芯或多芯半导体激光器和一只光电探测器,易于一体化、小型化和集成化;是一种普适的采用半导体激光的气体传感器,通用性强。
主权项一种单片双芯半导体激光气体传感器,其特征在于所述的半导体激光传感器是由①封装于同一管壳热沉上的制作于同一单片衬底上的两个激光器芯组成的单片双芯激光器;②用于热沉温度控制的热电温度控制电路;③调节两个激光器的时分驱动电路;④用于吸收和参比光信号探测的光电探测器;⑤用于放大和解调吸收和参比电信号的放大及时分解调电路;⑥对已解调的两路吸收和参比电信号进行比较并产生一路正比于目标气体浓度信号的比较电路及气体浓度显示电路所组成的。
申请日期2006-10-11
专利号CN1945284A
专利状态失效
申请号CN200610117006.2
公开(公告)号CN1945284A
IPC 分类号G01N21/25 | H01S5/00
专利代理人潘振甦
代理机构上海智信专利代理有限公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65312
专题半导体激光器专利数据库
作者单位中国科学院上海微系统与信息技术研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
张永刚,李爱珍,齐鸣,等. 单片双芯或多芯半导体激光气体传感器、制作及使用方法. CN1945284A[P]. 2007-04-11.
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