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半導体レーザ装置とその製造方法、及び半導体レーザ素子の製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2009290122A, 申请日期: 2009-12-10, 公开日期: 2009-12-10
发明人:  杉浦 勝己
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半導体レーザ素子及び製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2008311547A, 申请日期: 2008-12-25, 公开日期: 2008-12-25
发明人:  加藤 亮;  山田 篤志;  杉浦 勝己;  石橋 明彦
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半導体レーザ及びその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3679010B2, 申请日期: 2005-05-20, 公开日期: 2005-08-03
发明人:  古谷 章;  穴山 親志;  杉浦 勝己;  中尾 健誠;  長谷川 太郎
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半導体レーザ装置とその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000012960A, 申请日期: 2000-01-14, 公开日期: 2000-01-14
发明人:  杉浦 勝己;  穴山 親志;  岡田 直子
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半導体発光装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998290045A, 申请日期: 1998-10-27, 公开日期: 1998-10-27
发明人:  杉浦 勝己;  岡田 直子;  穴山 親志
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半導体発光素子及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1995312464A, 申请日期: 1995-11-28, 公开日期: 1995-11-28
发明人:  杉浦 勝己
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半導体レーザ 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1994164060A, 申请日期: 1994-06-10, 公开日期: 1994-06-10
发明人:  杉浦 勝己
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光半導体装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1994069587A, 申请日期: 1994-03-11, 公开日期: 1994-03-11
发明人:  杉浦 勝己
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半導体レーザ装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1993175596A, 申请日期: 1993-07-13, 公开日期: 1993-07-13
发明人:  杉浦 勝己;  穴山 親志
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半導体エピタキシヤル層の製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1993082454A, 申请日期: 1993-04-02, 公开日期: 1993-04-02
发明人:  杉浦 勝己
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