Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ装置とその製造方法 | |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置とその製造方法 |
| 杉浦 勝己; 穴山 親志; 岡田 直子 | |
| 2000-01-14 | |
| 专利权人 | 富士通株式会社 |
| 公开日期 | 2000-01-14 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 製造プロセスが簡単で高性能の半導体レーザ装置とその製造方法に関し、製造プロセスが簡単であり、かつCODレベルを向上することができる半導体レーザ装置およびその製造方法を提供する。 【解決手段】 半導体基板と、前記半導体基板上に形成され、V族元素としてAsとPまたはNとを含む活性層を有し、共振器を形成する導波構造であって、実効的As濃度が共振器端部で共振器中央部より低い導波構造とを有する。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：使半导体激光器件的制造工艺更简单，同时通过使激光器件具有这样的波导结构来改善谐振器端面上的断裂水平（COD水平）谐振器端部的有效As浓度低于谐振器中心部分的有效As浓度。解决方案：半导体激光器件具有上表面部分UP，下表面部分LP和将上表面部分UP和下表面部分LP彼此连接的斜面部分SP。斜面部分SP具有斜面中心部分SPC和斜面端部SPE，它们形成在中心部分SPC的两端并以一定角度连接到主要部分SPC。 Si掺杂的n型GaAs衬底1具有平坦的上表面UP，其偏转6度。朝向远离（100）平面的（111）A平面方向，下表面LP和将上表面Up和下表面LP彼此连接的斜坡SP。因此，可以获得高输出并且提高COD水平。 |
| 申请日期 | 1998-06-22 |
| 专利号 | JP2000012960A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1998175179 |
| 公开（公告）号 | JP2000012960A |
| IPC 分类号 | H01S5/30 | H01S5/323 | H01S5/343 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 高橋 敬四郎 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84488 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杉浦 勝己,穴山 親志,岡田 直子. 半導体レーザ装置とその製造方法. JP2000012960A[P]. 2000-01-14. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2000012960A.PDF（69KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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