Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体発光装置 | |
| 其他题名 | 半導体発光装置 |
| 杉浦 勝己; 岡田 直子; 穴山 親志 | |
| 1998-10-27 | |
| 专利权人 | 富士通株式会社 |
| 公开日期 | 1998-10-27 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 半導体発光装置に関し、ドーパントを適切に選択する旨の簡単な手段をとることで、低いしきい値電流を維持しながら、半導体レーザの短波長化を実現しようとする。 【解決手段】 面指数(100)6°オフの主面間が面指数(411)Aのストライプ斜面で結ばれた段差形状のn-GaAs基板1、その斜面上に発光領域3Aが位置する歪みMQW活性層3、活性層3上にp-(Al0.7 Ga0.3 )0.5In0.5 Pクラッド層4を介在して形成され主面上のn-(Al0.7 Ga0.3 )0.5 In0.5 P及び斜面上のp-(Al0.7 Ga0.3 )0.5 In0.5 Pで構成された電流ブロック層5を備え、クラッド層4のp型不純物がMgであり、且つ、電流ブロック層5に於けるp型部分のp型不純物がZnであって、MgがZnに比較して半導体結晶中への取り込まれ率の面方位依存性が小さいことを利用している。 |
| 其他摘要 | 通过采用在半导体发光器件中适当选择掺杂剂的简单方法，在保持低阈值电流的同时减小半导体激光器的波长。 A面指数（100）6°断面指数（411）之间的主表面在n-GaAs由应变发射区域3A的条纹斜率A连接阶梯形状的基板1被定位在斜坡MQW活性层3，在有源层3对 - （铝 0.7 GA 0.3 ）在 0.5 0.5 点（Al 0.7 Ga 0.3 ） 0.5 在通过插入包层4形成的主表面上，斜率上的 0.5 0.5 和p-（Al 0.7 Ga 0.3 / sub> P，包层4的p型杂质为Mg，电流阻挡层5中的p型部分的p型杂质为Zn，Mg利用掺入比率对半导体晶体的表面取向依赖性小于Zn的表面取向依赖性。 |
| 申请日期 | 1997-04-15 |
| 专利号 | JP1998290045A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1997097570 |
| 公开（公告）号 | JP1998290045A |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 柏谷 昭司 (外2名) |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83937 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杉浦 勝己,岡田 直子,穴山 親志. 半導体発光装置. JP1998290045A[P]. 1998-10-27. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1998290045A.PDF（177KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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