Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ装置 | |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 杉浦 勝己; 穴山 親志 | |
| 1993-07-13 | |
| 专利权人 | FUJITSU LTD |
| 公开日期 | 1993-07-13 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【目的】 リッジ型埋め込み構造を有する半導体レーザ装置に関し,電流がクラッド層から埋め込み層を通って流れるのを防止して,電流を活性層に集中できるようにし,発振閾値電流を低下させる。 【構成】 n+ -InP基板11上に,n- -In0.6 Ga0.4 As0.9 P0.1 活性層(λ=55μm)12およびp-In0.92Ga0.08As0.18P0.82クラッド層(λ=0μm)13が形成されている。これらは,基板と同じ材料のp-InP埋め込み層14およびn-InP埋め込み層15によって埋め込まれている。クラッド層13の禁制帯幅は24eVであり,埋め込み層14の禁制帯幅は35eVであるので,界面に正孔に対して0.7eVのポテンシャル障壁が形成される。これによりクラッド層13から埋め込み層14への正孔の流入が抑制され,電流が活性層12に集中するので発振閾値電流が低下する。 |
| 其他摘要 | 涉及具有目的脊型掩埋结构的半导体激光装置中，电流流过由所述包层的掩埋层，以电流集中到活性层，以降低振荡阈值电流防止。 [配置] n的 + -InP基板11中，n 上 - -In 0.6 GA 0.4 作为 0.9 p 0.1 活性层（λ=55μm的）12和p-IN 0.92 GA 0.08 作为 0.18 （λ=0μm的）13形成P 0.82 包层。这些填充有p型的InP掩埋层14和相同的材料作为基板的正的InP埋层15。包覆层13的能带隙为24电子伏特，埋入层14的带隙，因为它是35电子伏特，的0.7EV到孔的势垒的界面处形成。因此孔到从覆盖层13的掩埋层14的流入被抑制，电流振荡阈值电流被降低，从而集中在活性层12。 |
| 申请日期 | 1991-12-25 |
| 专利号 | JP1993175596A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1991343103 |
| 公开（公告）号 | JP1993175596A |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 中島 洋治 (外2名) |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83936 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJITSU LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杉浦 勝己,穴山 親志. 半導体レーザ装置. JP1993175596A[P]. 1993-07-13. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1993175596A.PDF（148KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [杉浦 勝己]的文章 |
| [穴山 親志]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [杉浦 勝己]的文章 |
| [穴山 親志]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [杉浦 勝己]的文章 |
| [穴山 親志]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论