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| 长波长GaNAsBi/GaAs多量子阱激光器及其制备方法 专利 专利类型: 授权发明, 专利号: CN103280695B, 申请日期: 2016-04-27, 公开日期: 2016-04-27 发明人: 曾徐路; 董建荣; 李奎龙; 孙玉润; 于淑珍; 赵勇明; 赵春雨; 杨辉
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| 一种1300nm~1550nm含铋化物的半导体激光器的制备方法 专利 专利类型: 授权发明, 专利号: CN103259193B, 申请日期: 2016-03-09, 公开日期: 2016-03-09 发明人: 曾徐路; 董建荣; 李奎龙; 孙玉润; 于淑珍; 赵勇明; 赵春雨; 杨辉
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| 一种1300nm~1550nm含铋化物的半导体激光器的制备方法 专利 专利类型: 授权发明, 专利号: CN103259193B, 申请日期: 2016-03-09, 公开日期: 2016-03-09 发明人: 曾徐路; 董建荣; 李奎龙; 孙玉润; 于淑珍; 赵勇明; 赵春雨; 杨辉
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| 半导体激光器有源区、半导体激光器及其制作方法 专利 专利类型: 授权发明, 专利号: CN103368074B, 申请日期: 2015-12-23, 公开日期: 2015-12-23 发明人: 赵勇明; 董建荣; 李奎龙; 孙玉润; 曾徐路; 于淑珍; 赵春雨; 杨辉
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| 垂直腔面发射激光器及其制作方法 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: CN104577711A, 申请日期: 2015-04-29, 公开日期: 2015-04-29 发明人: 曾徐路; 董建荣; 李奎龙; 孙玉润; 何洋; 于淑珍; 赵勇明; 赵春雨
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| 红外半导体激光器有源区、半导体激光器及其制作方法 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: CN103401144A, 申请日期: 2013-11-20, 公开日期: 2013-11-20 发明人: 赵勇明; 董建荣; 李奎龙; 孙玉润; 曾徐路; 于淑珍; 赵春雨; 杨辉
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| 激光器有源区、半导体激光器及其制作方法 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: CN103326242A, 申请日期: 2013-09-25, 公开日期: 2013-09-25 发明人: 曾徐路; 董建荣; 李奎龙; 孙玉润; 于淑珍; 赵勇明; 赵春雨
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