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半导体激光装置、半导体激光装置的制造方法和光学装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN102244364A, 申请日期: 2011-11-16, 公开日期: 2011-11-16
发明人:  林伸彦;  吉川秀樹;  藏本慶一;  野村康彦;  後藤壮謙;  岡山芳央;  德永誠一
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化合物半導体のエッチング方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3850944B2, 申请日期: 2006-09-08, 公开日期: 2006-11-29
发明人:  太田 潔;  後藤 壮謙
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半導体レーザ素子およびその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3459607B2, 申请日期: 2003-08-08, 公开日期: 2003-10-20
发明人:  後藤 壮謙;  林 伸彦
Adobe PDF(346Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：89/0  |  提交时间：2020/01/18
半導体レーザ装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3268958B2, 申请日期: 2002-01-18, 公开日期: 2002-03-25
发明人:  松本 光晴;  林 伸彦;  後藤 壮謙;  國里 竜也;  茨木 晃
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半導体レーザ素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3238974B2, 申请日期: 2001-10-05, 公开日期: 2001-12-17
发明人:  吉年 慶一;  茨木 晃;  林 伸彦;  古沢 浩太郎;  田尻 敦志;  石川 徹;  松川 健一;  三宅 輝明;  後藤 壮謙
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半導体レーザの製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3234310B2, 申请日期: 2001-09-21, 公开日期: 2001-12-04
发明人:  古沢 浩太郎;  茨木 晃;  林 伸彦;  松川 健一;  三宅 輝明;  後藤 壮謙
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発光装置、発光素子、半導体装置及び半導体素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2001007434A, 申请日期: 2001-01-12, 公开日期: 2001-01-12
发明人:  林 伸彦;  後藤 壮謙;  松本 光晴
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半導体レーザ素子、投受光ユニットおよび光ピックアップ装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000340894A, 申请日期: 2000-12-08, 公开日期: 2000-12-08
发明人:  野村 康彦;  後藤 壮謙;  古沢 浩太郎;  林 伸彦;  田尻 敦志;  井上 泰明;  庄野 昌幸
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半導体レーザ素子およびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000277859A, 申请日期: 2000-10-06, 公开日期: 2000-10-06
发明人:  林 伸彦;  後藤 壮謙
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半導体レーザ素子およびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000244062A, 申请日期: 2000-09-08, 公开日期: 2000-09-08
发明人:  後藤 壮謙;  林 伸彦
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