発光装置、発光素子、半導体装置及び半導体素子

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	発光装置、発光素子、半導体装置及び半導体素子
其他题名	発光装置、発光素子、半導体装置及び半導体素子
	林伸彦; 後藤壮謙; 松本光晴
	2001-01-12
专利权人	SANYO ELECTRIC CO LTD
公开日期	2001-01-12
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】発熱部である発光部からの放熱が良好に行われ、しかも高い組立精度を必要とすることなく、動作電圧を小さくすることが出来る発光装置を提供する。【解決手段】サファイア基板1上に発光部Hを有する半導体層15が形成され、半導体層15の上層部分にn型電極14が形成され、下層部分にn型電極15が形成された半導体レーザ素子100を、ステム33上に配置されたヒートシンクに固定し、ステム33上にはヒートシンク200よりも厚みが薄いスペーサ部材300を配置し、半導体レーザ素子100のp型電極13をヒートシンク200の上面に形成した第1電極層201に接合し、半導体レーザ素子100のp型電極14を前記スペーサ部材の上面に形成した第2電極層202にAgペースト34を介して接続したことを特徴とする。
其他摘要	要解决的问题：为了获得一种发光装置，通过该发光装置可以有利地执行作为发热部件的发光部件的热辐射，并且可以在不需要高装配精度的情况下降低操作电压。解决方案：半导体激光器件100，其通过在蓝宝石衬底1上形成具有发光部分H的半导体层15而形成，在半导体层15的上部形成n型电极14并形成n-半导体层15的下部中的类型电极15固定在放置在杆33上的散热器上，在杆33上设置有比散热器200薄的隔离构件300。在这种情况下，半导体激光器件100的p型电极13接合到形成在散热器200顶部的第一电极层201，并且半导体激光器件100的p型电极14接合到第二电极层201。电极层202通过Ag膏34形成在隔离构件的顶部上。
主权项	-
申请日期	1999-06-17
专利号	JP2001007434A
专利状态	失效
申请号	JP1999171035
公开（公告）号	JP2001007434A
IPC 分类号	H01L \| H01S \| H01S5/024 \| H01L33/62 \| H01S5/042 \| H01S5/00 \| H01L33/44 \| H01L33/00
专利代理人	芝野正雅
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51265
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	SANYO ELECTRIC CO LTD
推荐引用方式 GB/T 7714	林伸彦,後藤壮謙,松本光晴. 発光装置、発光素子、半導体装置及び半導体素子. JP2001007434A[P]. 2001-01-12.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2001007434A.PDF（190KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文