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一种提高各向异性磁电阻磁阻率的制备方法 专利
专利类型: 发明专利, 专利号: CN202010651681.3, 申请日期: 2021-10-15, 公开日期: 2020-11-27
发明人:  冯润东;  张文伟
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基底的晶向和氧化层厚度对坡莫合金薄膜的影响 期刊论文
真空科学与技术学报, 2021, 卷号: 41, 期号: 10, 页码: 941-945
作者:  冯润东;  张文伟
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各向异性磁电阻  NiFe薄膜  基底  磁控溅射  X射线衍射  
一种集成式接近开关及系统 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN201921878365.9, 申请日期: 2020-06-26,
发明人:  张文伟;  宋瑞潮
Adobe PDF(399Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：79/0  |  提交时间：2020/12/29
一种集成式接近开关、接近开关系统及接近开关制造方法 专利
专利类型: 发明专利, 专利号: CN201911064394.6, 申请日期: 2019-11-04,
发明人:  张文伟;  宋瑞潮
Adobe PDF(400Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：107/0  |  提交时间：2020/12/11
一种磁阻传感器及其制造方法 专利
专利类型: 发明专利, 专利号: CN201810264918.5, 申请日期: 2018-12-21, 公开日期: 2018-07-31
发明人:  张文伟
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可实现集束晶圆级老化的芯片、晶圆及相应的处理方法 专利
专利类型: 发明专利, 专利号: CN201810266977.6, 申请日期: 2018-12-21, 公开日期: 2018-07-31
发明人:  张文伟
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具有阈值调整功能的霍尔片、霍尔传感器及阈值调整方法 专利
专利类型: 发明专利, 专利号: CN201810264891.X, 申请日期: 2018-12-21, 公开日期: 2018-09-07
发明人:  张文伟
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具有阈值调整功能的霍尔片及霍尔传感器 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN201820428794.5, 申请日期: 2018-12-21, 公开日期: 2018-10-23
发明人:  张文伟
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一种磁阻传感器 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN201820428785.6, 申请日期: 2018-12-21, 公开日期: 2018-10-23
发明人:  张文伟
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可实现集束晶圆级老化的芯片、晶圆 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN201820432955.8, 申请日期: 2018-10-26, 公开日期: 2018-10-26
发明人:  张文伟
Adobe PDF(1471Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2018/12/28