Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 一种磁阻传感器及其制造方法 | |
| 其他题名 | 一种磁阻传感器及其制造方法 |
| 张文伟 | |
| 2018-12-21 | |
| 专利权人 | 中国科学院西安光学精密机械研究所 |
| 公开日期 | 2018-07-31 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 产权排序 | 1 |
| 摘要 | 本发明涉及传感器技术领域，针对现有磁阻传感器最高分辨率难以提高的问题，而提供一种磁阻传感器及其制造方法。其中磁阻传感器包括半导体衬底；绝缘层，位于半导体衬底上；第一氮化钽层，位于绝缘层上；坡莫合金层，位于所述第一氮化钽层上；第二氮化钽层，位于所述坡莫合金层上；其特殊之处在于：还包括位于所述第一氮化钽层和坡莫合金层之间的第一反铁磁性物质层，以及，位于所述坡莫合金层和第二氮化钽层之间的第二反铁磁性物质层。 |
| 主权项 | 一种磁阻传感器， 包括半导体衬底； 绝缘层，位于半导体衬底上； 第一氮化钽层，位于绝缘层上； 坡莫合金层，位于所述第一氮化钽层上； 第二氮化钽层，位于所述坡莫合金层上； 其特征在于：还包括位于所述第一氮化钽层和坡莫合金层之间的第一反铁磁性物质层， 以及，位于所述坡莫合金层和第二氮化钽层之间的第二反铁磁性物质层。 |
| 学科领域 | H01l43/08 |
| 学科门类 | H01 |
| 授权日期 | 2018-12-21 |
| DOI | H01L43 |
| 申请日期 | 2018-03-28 |
| 专利号 | CN201810264918.5 |
| 语种 | 中文 |
| 专利状态 | 申请中 |
| 申请号 | CN201810264918.5 |
| PCT属性 | 否 |
| 公开（公告）号 | CN108346738A |
| IPC 分类号 | H01L43/08 ; H01L43/12 |
| 专利代理人 | 倪金荣 |
| 代理机构 | 西安智邦专利商标代理有限公司 |
| 引用统计 | |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/31046 |
| 专题 | 热控技术研究室_其它单位_其它部门 |
| 作者单位 | 中国科学院西安光学精密机械研究所 |
| 第一作者单位 | 中国科学院西安光学精密机械研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张文伟. 一种磁阻传感器及其制造方法. CN201810264918.5[P]. 2018-12-21. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 2018102649185.pdf（933KB） | 专利 | 限制开放 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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