| 一种提高各向异性磁电阻磁阻率的制备方法 |
| 冯润东; 张文伟
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| 2021-10-15
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| 专利权人 | 中国科学院西安光学精密机械研究所
; 西安中科阿尔法电子科技有限公司
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| 公开日期 | 2020-11-27
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明专利
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| 产权排序 | 1
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| 摘要 | 本发明提供一种提高各向异性磁电阻磁阻率的制备方法，解决现有磁电阻增加磁阻率的方式会增加生产周期、降低产能的问题。该提高各向异性磁电阻磁阻率的制备方法包括以下步骤：步骤一、清洗硅片，将干净的硅片固定至溅射室的样品盘上；步骤二、对溅射室抽高真空，当真空度在低于设定值时，通入氩气；步骤三、打开高能离子源，高能离子源对硅片清洗进行，清洗完成后关闭高能离子源；步骤四、设定溅射功率，设置溅射的偏置电压，设定溅射时间，保持溅射室的工作气压在设定值；步骤五、根据步骤四设定的参数，开始溅射NiFe，同时，再次打开高能离子源，使得高能离子源的离子束流照射至硅片。 |
| 申请日期 | 2020-07-08
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| 专利号 | CN202010651681.3
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 授权
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| 公开（公告）号 | CN111996493B
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| IPC 分类号 | C23C14/16
; C23C14/34
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/95410
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| 专题 | 瞬态光学研究室
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
冯润东,张文伟. 一种提高各向异性磁电阻磁阻率的制备方法. CN202010651681.3[P]. 2021-10-15.
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