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氮化物半导体激光元件 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN107851969A, 申请日期: 2018-03-27, 公开日期: 2018-03-27
发明人:  川口真生;  今藤修;  能崎信一郎;  萩野裕幸
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半导体激光装置及其制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101939881A, 申请日期: 2011-01-05, 公开日期: 2011-01-05
发明人:  左文字克哉;  川口真生;  春日井秀纪
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半导体激光器装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101939883A, 申请日期: 2011-01-05, 公开日期: 2011-01-05
发明人:  川口真生
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半導体レーザ装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2010003746A, 申请日期: 2010-01-07, 公开日期: 2010-01-07
发明人:  小野澤 和利;  川口 真生
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半导体激光装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101558535A, 申请日期: 2009-10-14, 公开日期: 2009-10-14
发明人:  川口真生;  油利正昭
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