半导体激光装置及其制造方法

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	半导体激光装置及其制造方法
其他题名	半导体激光装置及其制造方法
	左文字克哉; 川口真生; 春日井秀纪
	2011-01-05
专利权人	松下电器产业株式会社
公开日期	2011-01-05
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本申请提供一种半导体激光装置及其制造方法。半导体激光装置具备半导体层层叠体(20)，该半导体层层叠体(20)选择性地生成在基板的除规定区域外的区域上。半导体层层叠体(20)包括活性层(14)，并且具有带状的光波导路，该光波导路沿着与射出光的前方端面(20A)相交的方向延伸。活性层(14)具有形成在规定区域的周向边缘部的异常生成部(14a)和形成在异常生成部(14a)的周围的禁带带宽增大部(14b)，该禁带带宽增大部(14b)的禁带带宽比除异常生成部(14a)以外的活性层(14)的其他部分的禁带带宽大。光波导路与异常生成部(14a)相间隔并在前方端面(20A)包括禁带带宽增大部(14b)。
其他摘要	本申请提供一种半导体激光装置及其制造方法。半导体激光装置具备半导体层层叠体(20)，该半导体层层叠体(20)选择性地生成在基板的除规定区域外的区域上。半导体层层叠体(20)包括活性层(14)，并且具有带状的光波导路，该光波导路沿着与射出光的前方端面(20A)相交的方向延伸。活性层(14)具有形成在规定区域的周向边缘部的异常生成部(14a)和形成在异常生成部(14a)的周围的禁带带宽增大部(14b)，该禁带带宽增大部(14b)的禁带带宽比除异常生成部(14a)以外的活性层(14)的其他部分的禁带带宽大。光波导路与异常生成部(14a)相间隔并在前方端面(20A)包括禁带带宽增大部(14b)。
申请日期	2009-10-14
专利号	CN101939881A
专利状态	失效
申请号	CN200980104444.7
公开（公告）号	CN101939881A
IPC 分类号	H01S5/16 \| H01S5/323
专利代理人	汪惠民
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90866
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	松下电器产业株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	左文字克哉,川口真生,春日井秀纪. 半导体激光装置及其制造方法. CN101939881A[P]. 2011-01-05.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN101939881A.PDF（823KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文