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一种基于侧向P-I-N结构的电吸收激光器及其制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN106253055B, 申请日期: 2019-08-20, 公开日期: 2019-08-20
发明人:  万枫;  熊永华;  岳爱文;  王任凡;  曾笔鉴
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一种基于侧向P-I-N结构的电吸收激光器及其制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN106253055B, 申请日期: 2019-08-20, 公开日期: 2019-08-20
发明人:  万枫;  熊永华;  岳爱文;  王任凡;  曾笔鉴
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一种热隔离的可调谐DBR激光器及其加工方法和使用方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN107453202B, 申请日期: 2019-06-04, 公开日期: 2019-06-04
发明人:  张明洋;  赵建宜;  王任凡;  岳爱文
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一种倒台型高速半导体激光器芯片及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN109412020A, 申请日期: 2019-03-01, 公开日期: 2019-03-01
发明人:  程宗鸿;  李亮;  熊永华;  吴倩;  余斯佳;  岳爱文
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一种半导体芯片及其制作方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN109066291A, 申请日期: 2018-12-21, 公开日期: 2018-12-21
发明人:  赵建宜;  余斯佳;  岳爱文;  杨帆;  胡忞远;  陈如山
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一种半导体激光器芯片的芯片级眼图测试方法和测试装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN107493131A, 申请日期: 2017-12-19, 公开日期: 2017-12-19
发明人:  钟行;  岳爱文;  刘应军;  胡艳;  李晶;  曾笔鉴
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一种可调谐半导体激光器 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN107425405A, 申请日期: 2017-12-01, 公开日期: 2017-12-01
发明人:  赵建宜;  王任凡;  岳爱文;  张明洋
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一种Si基大功率激光器及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN106207752A, 申请日期: 2016-12-07, 公开日期: 2016-12-07
发明人:  李亮;  刘应军;  岳爱文;  王任凡
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