一种倒台型高速半导体激光器芯片及其制备方法

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	一种倒台型高速半导体激光器芯片及其制备方法
其他题名	一种倒台型高速半导体激光器芯片及其制备方法
	程宗鸿; 李亮; 熊永华; 吴倩; 余斯佳; 岳爱文
	2019-03-01
专利权人	武汉电信器件有限公司
公开日期	2019-03-01
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明涉及激光器技术领域，提供了一种倒台型高速半导体激光器芯片及其制备方法，其中方法包括：在外延片表面生长SiNx掩膜层，刻出双沟图形；利用化学腐蚀得到倒台型脊条，并去除外延片表面剩余的SiNx掩膜层；在外延片表面生长第一SiO2保护层，再填充BCB层，光刻固化后留下双沟与压焊电极区域的BCB，再继续生长第二SiO2保护层；去除所述脊条表面的SiO2，完成电极制作。通过填充BCB，解决了倒台电极容易发生断裂以及在倒角容易形成空洞的问题，还减小激光器寄生电容，有利于激光器获得更大的调制带宽，可调制带宽达25Ghz以上；在BCB上还覆盖一层二氧化硅，避免电极直接制作在BCB上容易掉金。
其他摘要	本发明涉及激光器技术领域，提供了一种倒台型高速半导体激光器芯片及其制备方法，其中方法包括：在外延片表面生长SiNx掩膜层，刻出双沟图形；利用化学腐蚀得到倒台型脊条，并去除外延片表面剩余的SiNx掩膜层；在外延片表面生长第一SiO₂保护层，再填充BCB层，光刻固化后留下双沟与压焊电极区域的BCB，再继续生长第二SiO₂保护层；去除所述脊条表面的SiO₂，完成电极制作。通过填充BCB，解决了倒台电极容易发生断裂以及在倒角容易形成空洞的问题，还减小激光器寄生电容，有利于激光器获得更大的调制带宽，可调制带宽达25Ghz以上；在BCB上还覆盖一层二氧化硅，避免电极直接制作在BCB上容易掉金。
主权项	一种倒台型高速半导体激光器芯片的制备方法，其特征在于，包括：在外延片(1)表面生长SiNx掩膜层(2)，并刻出双沟图形；利用化学腐蚀得到倒台型的脊条(6)，并去除剩余的SiNx掩膜层(2)；在外延片(1)表面生长第一SiO2保护层(3)，再填充一层BCB层(4)，光刻固化后留下双沟与压焊电极区域的BCB，继续生长第二SiO2保护层(5)；去除所述脊条(6)表面的SiO2，完成电极制作。
申请日期	2018-11-26
专利号	CN109412020A
专利状态	申请中
申请号	CN20181142180X
公开（公告）号	CN109412020A
IPC 分类号	H01S5/22 \| H01S5/24 \| H01S5/343
专利代理人	何婷
代理机构	深圳市爱迪森知识产权代理事务所(普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55037
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	武汉电信器件有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	程宗鸿,李亮,熊永华,等. 一种倒台型高速半导体激光器芯片及其制备方法. CN109412020A[P]. 2019-03-01.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN109412020A.PDF（540KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文