一种半导体芯片及其制作方法

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	一种半导体芯片及其制作方法
其他题名	一种半导体芯片及其制作方法
	赵建宜; 余斯佳; 岳爱文; 杨帆; 胡忞远; 陈如山
	2018-12-21
专利权人	武汉光迅科技股份有限公司
公开日期	2018-12-21
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明涉及半导体技术领域，提供了一种半导体芯片及其制作方法，该半导体芯片包括：衬底、依次层叠设置在衬底上的隔离层以及功能层；隔离层包括下悬浮层以及牺牲层，下悬浮层设置在衬底上，牺牲层设置在下悬浮层上；隔离层还包括悬浮区域，下悬浮层以及牺牲层沿悬浮区域的周向设置；其中，悬浮区域的深度大于牺牲层的厚度。本发明的半导体芯片的功能层通过悬浮区域悬浮在衬底上，由于悬浮区域的深度大于牺牲层的厚度使得功能层与衬底之间的空气间隔较大，具有较好的隔热性，有效减少了热量通过衬底耗散的情况的发生，从而将大部分热量传导至热调谐电极，提高了芯片的热调谐效率。
其他摘要	本发明涉及半导体技术领域，提供了一种半导体芯片及其制作方法，该半导体芯片包括：衬底、依次层叠设置在衬底上的隔离层以及功能层；隔离层包括下悬浮层以及牺牲层，下悬浮层设置在衬底上，牺牲层设置在下悬浮层上；隔离层还包括悬浮区域，下悬浮层以及牺牲层沿悬浮区域的周向设置；其中，悬浮区域的深度大于牺牲层的厚度。本发明的半导体芯片的功能层通过悬浮区域悬浮在衬底上，由于悬浮区域的深度大于牺牲层的厚度使得功能层与衬底之间的空气间隔较大，具有较好的隔热性，有效减少了热量通过衬底耗散的情况的发生，从而将大部分热量传导至热调谐电极，提高了芯片的热调谐效率。
申请日期	2018-08-30
专利号	CN109066291A
专利状态	申请中
申请号	CN201811002764.9
公开（公告）号	CN109066291A
IPC 分类号	H01S5/343
专利代理人	何婷
代理机构	深圳市爱迪森知识产权代理事务所(普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92302
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	武汉光迅科技股份有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	赵建宜,余斯佳,岳爱文,等. 一种半导体芯片及其制作方法. CN109066291A[P]. 2018-12-21.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN109066291A.PDF（688KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文