一种Si基大功率激光器及其制备方法

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	一种Si基大功率激光器及其制备方法
其他题名	一种Si基大功率激光器及其制备方法
	李亮; 刘应军; 岳爱文; 王任凡
	2016-12-07
专利权人	武汉光迅科技股份有限公司
公开日期	2016-12-07
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明涉及激光器技术领域，提供了一种Si基大功率激光器及其制备方法。其中，制造方法包括在Si衬底上刻蚀出沟槽；在沟槽中依次生长第一InP缓冲层和第二InP缓冲层，其中，第一缓冲层和第二缓冲层厚度总和超过沟槽深度；在第二InP缓冲层上生长第三InP/InGaAsP超晶格缓冲层和第四InP顶层缓冲层；在第四InP顶层上依次生长下限制层、多量子阱和上限制层，完成激光器外延工艺。本发明采用图形沟槽衬底、高深宽比限制和低温低压生长多层缓冲层结构，有效的解决了Si/InP的晶格失配位错的产生和反相畴在垂直方向上向外延层的延伸，从而得到高质量的InP外延层和激光器结构。
其他摘要	本发明涉及激光器技术领域，提供了一种Si基大功率激光器及其制备方法。其中，制造方法包括在Si衬底上刻蚀出沟槽；在沟槽中依次生长第一InP缓冲层和第二InP缓冲层，其中，第一缓冲层和第二缓冲层厚度总和超过沟槽深度；在第二InP缓冲层上生长第三InP/InGaAsP超晶格缓冲层和第四InP顶层缓冲层；在第四InP顶层上依次生长下限制层、多量子阱和上限制层，完成激光器外延工艺。本发明采用图形沟槽衬底、高深宽比限制和低温低压生长多层缓冲层结构，有效的解决了Si/InP的晶格失配位错的产生和反相畴在垂直方向上向外延层的延伸，从而得到高质量的InP外延层和激光器结构。
申请日期	2016-08-31
专利号	CN106207752A
专利状态	授权
申请号	CN201610787924.X
公开（公告）号	CN106207752A
IPC 分类号	H01S5/22 \| H01S5/223 \| H01S5/343 \| H01S5/12
专利代理人	何婷
代理机构	深圳市爱迪森知识产权代理事务所(普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90342
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	武汉光迅科技股份有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	李亮,刘应军,岳爱文,等. 一种Si基大功率激光器及其制备方法. CN106207752A[P]. 2016-12-07.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN106207752A.PDF（240KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文