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半導体レーザ装置とその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000012960A, 申请日期: 2000-01-14, 公开日期: 2000-01-14
发明人:  杉浦 勝己;  穴山 親志;  岡田 直子
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半導体レーザ装置及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999112075A, 申请日期: 1999-04-23, 公开日期: 1999-04-23
发明人:  岡田 直子;  穴山 親志
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半導体発光装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998290045A, 申请日期: 1998-10-27, 公开日期: 1998-10-27
发明人:  杉浦 勝己;  岡田 直子;  穴山 親志
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半導体レーザ及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1994268322A, 申请日期: 1994-09-22, 公开日期: 1994-09-22
发明人:  岡田 直子;  近藤 真人;  穴山 親志;  堂免 恵;  古谷 章
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半導体レーザ 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1994260717A, 申请日期: 1994-09-16, 公开日期: 1994-09-16
发明人:  岡田 直子;  近藤 真人;  古谷 章;  鬼頭 泰浩
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半導体発光素子及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1993291683A, 申请日期: 1993-11-05, 公开日期: 1993-11-05
发明人:  岡田 直子;  穴山 親志
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