Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ及びその製造方法 | |
| 其他题名 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
| 岡田 直子; 近藤 真人; 穴山 親志; 堂免 恵; 古谷 章 | |
| 1994-09-22 | |
| 专利权人 | 富士通株式会社 |
| 公开日期 | 1994-09-22 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【目的】 半導体レーザ及びその製造方法に関し、極めて簡単な手段を採ることで、活性層中或いは劈開面に非発光再結合中心が生成されることを抑制し、発光効率及びCODレベルを向上させようとする。 【構成】 n-GaInP基板上にn-(Al0.7 Ga0.3 )0.5 In0.5 Pクラッド層22及びSe,S,Teなど六族元素がドーピングされたn-Ga0.5In0.5 P活性層23及びp-(Al0.7 Ga0.3 )0.5 In0.5 Pクラッド層24が順に積層成長されてなるダブル·ヘテロ構造を備えている。 |
| 其他摘要 | 目的：提供一种半导体激光器及其制造方法，其中通过使用非常简单的方法限制在有源层或解理表面中出现无中心重新耦合的中心来增强发射效率和COD水平。组成：n-（Al0.7Ga0.3）0.5In0.5P包层22，n-Ga0.5In0.5P有源层掺杂了一组VI元素，如Se，S或Te，和p-（Al0） .7Ga0.3）0.5 In0.5P包层24依次生长在n-GaInP衬底上，以提供双异质结构。 |
| 申请日期 | 1993-03-15 |
| 专利号 | JP1994268322A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1993053656 |
| 公开（公告）号 | JP1994268322A |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 柏谷 昭司 (外1名) |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81220 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 岡田 直子,近藤 真人,穴山 親志,等. 半導体レーザ及びその製造方法. JP1994268322A[P]. 1994-09-22. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1994268322A.PDF（49KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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