半導体レーザ

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	半導体レーザ
其他题名	半導体レーザ
	岡田直子; 近藤真人; 古谷章; 鬼頭泰浩
	1994-09-16
专利权人	富士通株式会社
公开日期	1994-09-16
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【目的】本発明は半導体レーザの製造方法、特に600nm帯のAlGaInP系の可視光半導体レーザを作成する技術に関し、キャビティの端面の表面準位密度を低減し、キャビティの端面近傍の結晶中に存在する非発光再結合準位の形成を抑制して、発光効率の高い、且つ、端面の光学的損傷が抑制され、高出力動作を達成する半導体レーザを作成することを目的とする。【構成】半導体基板1上に少なくとも、AlGaInPからなる第1クラッド層2及び第2クラッド層3と、第1クラッド層2及び第2クラッド層3に挟まれたGaInP或いはAlGaInPからなる活性層4とを有する半導体発光装置において、少なくとも一方の、キャビティ端面5の端面から端面近傍の結晶内部に亘って、Se、或いはTe、或いはSのVI族元素6が導入されたVI族元素導入領域7を有するように構成する。
其他摘要	本发明涉及一种制造半导体激光器的方法，更具体地说，涉及一种制造600nm波段的AlGaInP基可见光半导体激光器的技术，其中腔体端面处的表面态密度降低并存在于腔体端面附近的晶体中。从而抑制非辐射复合水平的形成以抑制端面的光学损伤并实现具有高发光效率的高输出操作。由GaInP或AlGaInP制成的有源层（4）夹在第一包层（2）和第二包层（3）之间，并且至少第一包层（2）和第二包层（3）由AlGaInP制成，具有VI族元素引入区域7的半导体发光器件，其中Se，Te或S的VI族元素6在腔体端面5的至少一个端面上被引入到端面附近的晶体内部如图所示。
申请日期	1993-03-03
专利号	JP1994260717A
专利状态	失效
申请号	JP1993041568
公开（公告）号	JP1994260717A
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	井桁貞一
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84881
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	富士通株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	岡田直子,近藤真人,古谷章,等. 半導体レーザ. JP1994260717A[P]. 1994-09-16.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1994260717A.PDF（60KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文