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半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2009081373A, 申请日期: 2009-04-16, 公开日期: 2009-04-16
发明人:  左文字 克哉;  山田 篤志;  石田 昌宏
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半導体レーザ素子及び製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2008311547A, 申请日期: 2008-12-25, 公开日期: 2008-12-25
发明人:  加藤 亮;  山田 篤志;  杉浦 勝己;  石橋 明彦
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半導体発光素子及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2008277492A, 申请日期: 2008-11-13, 公开日期: 2008-11-13
发明人:  山田 篤志;  大野 啓;  左文字 克哉
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磁場を用いた発光方法、および、外部磁場を用いた波長可変発光装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1997083074A, 申请日期: 1997-03-28, 公开日期: 1997-03-28
发明人:  山田 篤志
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半導体光集積回路 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1997064464A, 申请日期: 1997-03-07, 公开日期: 1997-03-07
发明人:  山田 篤志
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集積型半導体レーザ装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1996255949A, 申请日期: 1996-10-01, 公开日期: 1996-10-01
发明人:  岡本 和也;  山田 篤志;  多田 邦雄;  中野 義明
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半導体レーザ 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1996032172A, 申请日期: 1996-02-02, 公开日期: 1996-02-02
发明人:  山田 篤志;  岡本 和也
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