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半導体光集積回路
其他题名半導体光集積回路
山田 篤志
1997-03-07
专利权人NIKON CORP
公开日期1997-03-07
授权国家日本
专利类型发明申请
摘要【目的】エバネッセント結合によって、レーザ光を導波路に結合させる構成であって、高い効率で結合させることのできる光集積回路を提供する。 【構成】半導体レーザに、レーザ光を発振するレーザ領域111と、結合領域112とを設ける。結合領域112は、レーザ領域111が発振した光を伝搬しながら、導波路16との間で周期的に行き来させることにより、レーザ光を導波路16に結合させる。結合領域112は、電気光学効果を有する材料で構成し、電圧を印加して、前記周期を変化させる。
其他摘要[目的]提供一种能够通过渐逝耦合将激光耦合到波导的光学集成电路,其可以高效率地耦合。 半导体激光器设置有用于发射激光的激光区域111和耦合区域112。耦合区域112通过周期性地返回波导16和从波导16返回而将激光耦合到波导16,同时传播由激光区域111振荡的光。耦合区域112由具有电光效应的材料制成,并且施加电压以改变周期。
申请日期1995-08-21
专利号JP1997064464A
专利状态失效
申请号JP1995212014
公开(公告)号JP1997064464A
IPC 分类号G02F1/313 | G02B6/12 | G02B6/122 | H01S5/042 | H01S5/00 | H01S3/18 | H01S3/096
专利代理人三品 岩男 (外1名)
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89014
专题半导体激光器专利数据库
作者单位NIKON CORP
推荐引用方式
GB/T 7714
山田 篤志. 半導体光集積回路. JP1997064464A[P]. 1997-03-07.
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