Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ | |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 山田 篤志; 岡本 和也 | |
| 1996-02-02 | |
| 专利权人 | 株式会社ニコン |
| 公开日期 | 1996-02-02 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【目的】しきい値電流の低い量子井戸型半導体レーザを提供する。 【構成】半導体材料で構成されたポテンシャルの低い井戸領域31と、少なくとも一方向について井戸領域31を両側から挾むポテンシャルの高い周辺領域33とを有する量子井戸構造を活性領域14に備えた半導体レーザ。井戸領域31と周辺領域33との間には、周辺領域33よりもポテンシャルの高い障壁領域32が配置されている |
| 其他摘要 | 目的：通过在阱区和周边区域之间布置比周边区域更高的势垒来降低阈值电流密度。组成：由Al0.3Ga0.7As制成的包层17，多层有源层14，与包层17具有相同组成的包层13，以及由GaAs制成的盖层12堆叠在GaAs基板上该半导体激光器在盖层12上具有一对电极11，并且在其下方设置有到达包层17的p型和n型扩散层，并且在有源层14中产生的光是放大后，被有源层14的两端反射。对于有源层14，在厚度方向上形成电位区域。用于限制载流子的阱区31被来自两侧的高电位的外围区域夹在中间，并且区域31和33之间是比所提供的区域33高的电势的势垒区域32。由此，降低了半导体激光器的阈值电流密度。 |
| 申请日期 | 1994-07-19 |
| 专利号 | JP1996032172A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1994166885 |
| 公开（公告）号 | JP1996032172A |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 三品 岩男 (外1名) |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/82041 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社ニコン |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山田 篤志,岡本 和也. 半導体レーザ. JP1996032172A[P]. 1996-02-02. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1996032172A.PDF（58KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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