磁場を用いた発光方法、および、外部磁場を用いた波長可変発光装置

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	磁場を用いた発光方法、および、外部磁場を用いた波長可変発光装置
其他题名	磁場を用いた発光方法、および、外部磁場を用いた波長可変発光装置
	山田篤志
	1997-03-28
专利权人	NIKON CORP
公开日期	1997-03-28
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】広い波長幅で波長を変化させることのできる発光方法およびこの方法を用いた発光装置を提供する。【課題解決手段】量子井戸構造を有する101素子に、磁場発生手段102から磁場をかける。そして、磁場による量子井戸構造の電子および正孔のランダウ準位間での再結合により発光させる。
其他摘要	要解决的问题：通过在磁场中设置具有量子阱结构的元素并通过由磁场引起的Landau电平之间的量子阱结构中的电子和空穴的复合来发射光来实现波长的显着变化。解决方案：在n-GaAs衬底1上依次形成n-GaAs层2，下包层3，有源层4，上包层5，p-GaAs层6和SiO2层7。有源层4具有多量子阱结构，其中层叠未掺杂的Al x Ga 1-x As层（x = 0.30）4a-4e和非掺杂的GaAs层4f。当电极9,10与电源连接并且在SiO2层7的通孔下方的每层处集中注入电流时，电子和空穴的发射复合发生在有源层4中。振荡波长为838.8nm当没有应用场时，当施加场时为833.2nm。由于场引起的能级变化与场的大小成比例，因此波长可以显着变化。
主权项	-
申请日期	1995-09-13
专利号	JP1997083074A
专利状态	失效
申请号	JP1995235694
公开（公告）号	JP1997083074A
IPC 分类号	H01S5/06 \| H01S5/00 \| H01S3/18 \| H01S3/103
专利代理人	三品岩男 (外1名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64023
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	NIKON CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	山田篤志. 磁場を用いた発光方法、および、外部磁場を用いた波長可変発光装置. JP1997083074A[P]. 1997-03-28.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1997083074A.PDF（60KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文