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半導体レーザ素子の製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2010098069A, 申请日期: 2010-04-30, 公开日期: 2010-04-30
发明人:  小野 健一;  綿谷 力;  花巻 吉彦
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光量制御装置、光書き込み装置及び画像形成装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2008218720A, 申请日期: 2008-09-18, 公开日期: 2008-09-18
发明人:  大出 俊夫;  小野 健一
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半導体レーザ素子およびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2005353654A, 申请日期: 2005-12-22, 公开日期: 2005-12-22
发明人:  小野 健一;  竹見 政義
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半導体レーザ素子およびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2004207682A, 申请日期: 2004-07-22, 公开日期: 2004-07-22
发明人:  竹見 政義;  小野 健一;  花巻 吉彦;  綿谷 力;  八木 哲哉;  西口 晴美;  佐々木 素子;  阿部 真司;  吉田 保明
Adobe PDF(212Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：75/0  |  提交时间：2020/01/13
画像形成装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3448137B2, 申请日期: 2003-07-04, 公开日期: 2003-09-16
发明人:  林 善紀;  山川 健志;  真間 孝;  金井 英俊;  小野 健一
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半導體雷射裝置及其製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: TW507406B, 申请日期: 2002-10-21, 公开日期: 2002-10-21
发明人:  宮下宗治;  佐佐木素子;  小野 健一
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半導体レーザ装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999026880A, 申请日期: 1999-01-29, 公开日期: 1999-01-29
发明人:  小野 健一
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半導体レーザ装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2827605B2, 申请日期: 1998-09-18, 公开日期: 1998-11-25
发明人:  小野 健一;  山下 光二
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半導体レーザ,およびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998209556A, 申请日期: 1998-08-07, 公开日期: 1998-08-07
发明人:  木村 達也;  小野 健一;  竹見 政義;  宮下 宗治
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光半導体装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998079554A, 申请日期: 1998-03-24, 公开日期: 1998-03-24
发明人:  元田 隆;  小野 健一
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