半導体レーザ素子の製造方法

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	半導体レーザ素子の製造方法
其他题名	半導体レーザ素子の製造方法
	小野健一; 綿谷力; 花巻吉彦
	2010-04-30
专利权人	三菱電機株式会社
公开日期	2010-04-30
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】本発明は半導体レーザ素子の製造方法に関し、特にリーク電流を低減するのに好適な半導体レーザ素子の製造方法に関するものであり、埋め込み型半導体レーザ素子において、リーク電流を抑制することを目的とする。【解決手段】本発明に係る半導体レーザ素子の製造方法は、p型の半導体基板上に、p型クラッド層、活性層及びn型クラッド層を順次形成する工程と、前記p型クラッド層、前記活性層及び前記n型クラッド層をエッチングし、メサストライプ構造部を形成する工程と、前記メサストライプ構造部の側面に、p型電流ブロック層、第1の半絶縁性電流ブロック層、n型電流ブロック層及び第2の半絶縁性電流ブロック層を順次形成し、埋め込み型電流ブロック層を形成する工程と、前記n型クラッド層及び前記埋め込み型電流ブロック層上に、n型コンタクト層を形成する工程と、を備える。【選択図】図4
其他摘要	要解决的问题：为了抑制内置半导体激光器件中的漏电流，关于制造半导体激光器件的方法，特别是制造适合于减小漏电流的半导体激光器件的方法。 Ž解决方案：制造半导体激光器件的方法包括：在p型半导体衬底上依次形成p型覆层，有源层和n型覆层的步骤;通过蚀刻p型覆层，有源层和p型覆层形成台面条形结构部分的步骤;通过依次形成p型电流阻挡层，第一半绝缘电流阻挡层，n型电流阻挡层和第二半绝缘电流阻挡层来形成内置电流阻挡层的步骤台面条纹结构部分的侧表面;以及在n型覆层和内置电流阻挡层上形成n型接触层的步骤。 Ž
申请日期	2008-10-15
专利号	JP2010098069A
专利状态	授权
申请号	JP2008266700
公开（公告）号	JP2010098069A
IPC 分类号	H01S5/227 \| H01S5/00
专利代理人	高田守 \| 高橋英樹
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83533
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	三菱電機株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	小野健一,綿谷力,花巻吉彦. 半導体レーザ素子の製造方法. JP2010098069A[P]. 2010-04-30.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2010098069A.PDF（1036KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文