Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導體雷射裝置及其製造方法 | |
| 其他题名 | 半導體雷射裝置及其製造方法 |
| 宮下宗治; 佐佐木素子; 小野 健一 | |
| 2002-10-21 | |
| 专利权人 | 三菱電機股份有限公司 |
| 公开日期 | 2002-10-21 |
| 授权国家 | 中国台湾 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | [課題]本發明係提供一種啟始電流(threshold current)低、電流-光輸出(current-optical output)特性的溫度特性的劣化少、光束(beam)的特性好的半導體雷射裝置。[解決手段]將具有帶狀的開口24的n-A1InP的電流阻擋層22配置在第1上包覆層(upper clad layer)20上，然後以 p-A10.5Ga0.5As的緩衝層26來覆蓋對向該開口24的第1上包覆層20和電流阻擋層22，因為在該緩衝層26上配設有由 p-(A10.7Ga0.3)0.5In0.5P所構成的的第2上包覆層28，而對成長左面對開口24的電流阻擋層22的表面上的結晶層中的格子缺陷(lattice defect)的發生有抑制的效果。 |
| 其他摘要 | [課題]本發明係提供一種啟始電流(threshold current)低、電流-光輸出(current-optical output)特性的溫度特性的劣化少、光束(beam)的特性好的半導體雷射裝置。[解決手段]將具有帶狀的開口24的n-A1InP的電流阻擋層22配置在第1上包覆層(upper clad layer)20上，然後以 p-A10.5Ga0.5As的緩衝層26來覆蓋對向該開口24的第1上包覆層20和電流阻擋層22，因為在該緩衝層26上配設有由 p-(A10.7Ga0.3)0.5In0.5P所構成的的第2上包覆層28，而對成長左面對開口24的電流阻擋層22的表面上的結晶層中的格子缺陷(lattice defect)的發生有抑制的效果。 |
| 申请日期 | 2001-06-13 |
| 专利号 | TW507406B |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | TW090114285 |
| 公开（公告）号 | TW507406B |
| IPC 分类号 | H01S5/22 | H01S5/323 | H01S5/223 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 洪澄文 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90402 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宮下宗治,佐佐木素子,小野 健一. 半導體雷射裝置及其製造方法. TW507406B[P]. 2002-10-21. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| TW507406B.PDF（5828KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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