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一种用于硅光子电路的高功率分布反馈布拉格光栅激光器 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN109802299A, 申请日期: 2019-05-24, 公开日期: 2019-05-24
发明人:  梁海波;  章力明;  马军涛;  劳燕峰
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InAsP/InGaAsP量子阱为有源层的垂直腔面发射激光器及方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101685942A, 申请日期: 2010-03-31, 公开日期: 2010-03-31
发明人:  劳燕锋;  曹春芳;  吴惠桢;  刘成;  曹萌
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用于III－V族化合物器件的低温Au－In－Au键合方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101295753A, 申请日期: 2008-10-29, 公开日期: 2008-10-29
发明人:  谢正生;  吴惠桢;  劳燕锋;  刘成;  曹萌;  黄占超
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一种提高Ⅲ－Ⅴ族应变多量子阱发光强度的方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1933263A, 申请日期: 2007-03-21, 公开日期: 2007-03-21
发明人:  吴惠桢;  曹萌;  劳燕锋;  黄占超;  刘成;  谢正生
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用于半导体激光器后腔面的高反射率膜系的镀膜夹具 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1265519C, 申请日期: 2006-07-19, 公开日期: 2006-07-19
发明人:  吴惠桢;  黄占超;  劳燕锋;  沈勤我;  齐鸣;  封松林
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一种含隧道结的垂直腔型光电子器件 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1780004A, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2006-05-31
发明人:  吴惠桢;  黄占超;  劳燕锋;  刘成;  齐鸣;  封松林
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磷化铟和砷化镓材料的直接键合方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1588612A, 申请日期: 2005-03-02, 公开日期: 2005-03-02
发明人:  吴惠桢;  劳燕锋;  郝幼生
Adobe PDF(585Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：78/0  |  提交时间：2019/12/30