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| 一种用于硅光子电路的高功率分布反馈布拉格光栅激光器 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: CN109802299A, 申请日期: 2019-05-24, 公开日期: 2019-05-24 发明人: 梁海波; 章力明; 马军涛; 劳燕峰
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| InAsP/InGaAsP量子阱为有源层的垂直腔面发射激光器及方法 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: CN101685942A, 申请日期: 2010-03-31, 公开日期: 2010-03-31 发明人: 劳燕锋; 曹春芳; 吴惠桢; 刘成; 曹萌
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| 用于III-V族化合物器件的低温Au-In-Au键合方法 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: CN101295753A, 申请日期: 2008-10-29, 公开日期: 2008-10-29 发明人: 谢正生; 吴惠桢; 劳燕锋; 刘成; 曹萌; 黄占超
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| 一种提高Ⅲ-Ⅴ族应变多量子阱发光强度的方法 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: CN1933263A, 申请日期: 2007-03-21, 公开日期: 2007-03-21 发明人: 吴惠桢; 曹萌; 劳燕锋; 黄占超; 刘成; 谢正生
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| 用于半导体激光器后腔面的高反射率膜系的镀膜夹具 专利 专利类型: 授权发明, 专利号: CN1265519C, 申请日期: 2006-07-19, 公开日期: 2006-07-19 发明人: 吴惠桢; 黄占超; 劳燕锋; 沈勤我; 齐鸣; 封松林
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| 一种含隧道结的垂直腔型光电子器件 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: CN1780004A, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2006-05-31 发明人: 吴惠桢; 黄占超; 劳燕锋; 刘成; 齐鸣; 封松林
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| 磷化铟和砷化镓材料的直接键合方法 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: CN1588612A, 申请日期: 2005-03-02, 公开日期: 2005-03-02 发明人: 吴惠桢; 劳燕锋; 郝幼生
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