一种含隧道结的垂直腔型光电子器件

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	一种含隧道结的垂直腔型光电子器件
其他题名	一种含隧道结的垂直腔型光电子器件
	吴惠桢; 黄占超; 劳燕锋; 刘成; 齐鸣; 封松林
	2006-05-31
专利权人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所
公开日期	2006-05-31
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明涉及一种垂直腔型半导体光电子器件，其特征在于将隧道结置于垂直腔型半导体光电子器件的微腔中，利用隧道结的反向电流遂穿特性，实现用N型的分布反馈布拉格腔镜(DBR)取代P型的DBR腔镜，能有效降低垂直腔器件的串联电阻，限制侧向电流的扩散，提高电流注入有源区的均匀性，降低器件的阈值电流密度，改善器件的热特性，隧道结的材料采用均匀掺杂或多次δ掺杂，垂直腔型半导体光电子器件的顶部和底部腔镜采用III－V族半导体多层薄膜膜构成的DBR、光学介质膜DBR、高反射率金属膜、半导体薄膜/空气隙DBR中的一种，或他们的组合；微腔中的有源区采用MBE或MOCVD生长的InGaAs、InGaAsP、AlGaInAs或InGaNAs系列量子阱。
其他摘要	本发明涉及一种垂直腔型半导体光电子器件，其特征在于将隧道结置于垂直腔型半导体光电子器件的微腔中，利用隧道结的反向电流遂穿特性，实现用N型的分布反馈布拉格腔镜(DBR)取代P型的DBR腔镜，能有效降低垂直腔器件的串联电阻，限制侧向电流的扩散，提高电流注入有源区的均匀性，降低器件的阈值电流密度，改善器件的热特性，隧道结的材料采用均匀掺杂或多次δ掺杂，垂直腔型半导体光电子器件的顶部和底部腔镜采用III－V族半导体多层薄膜膜构成的DBR、光学介质膜DBR、高反射率金属膜、半导体薄膜/空气隙DBR中的一种，或他们的组合；微腔中的有源区采用MBE或MOCVD生长的InGaAs、InGaAsP、AlGaInAs或InGaNAs系列量子阱。
申请日期	2005-10-19
专利号	CN1780004A
专利状态	失效
申请号	CN200510030638.0
公开（公告）号	CN1780004A
IPC 分类号	H01L31/101 \| H01L31/18 \| H01S5/10
专利代理人	潘振甦
代理机构	上海智信专利代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89972
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院上海微系统与信息技术研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	吴惠桢,黄占超,劳燕锋,等. 一种含隧道结的垂直腔型光电子器件. CN1780004A[P]. 2006-05-31.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN1780004A.PDF（730KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文