InAsP/InGaAsP量子阱为有源层的垂直腔面发射激光器及方法

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	InAsP/InGaAsP量子阱为有源层的垂直腔面发射激光器及方法
其他题名	InAsP/InGaAsP量子阱为有源层的垂直腔面发射激光器及方法
	劳燕锋; 曹春芳; 吴惠桢; 刘成; 曹萌
	2010-03-31
专利权人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所
公开日期	2010-03-31
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明涉及长波长(3μm)InAsP/InGaAsP量子阱垂直腔面发射激光器(VCSEL)及制作方法，其特征在于有源层为InP基的InAsP/InGaAsP应变补偿量子阱。由有效质量模型计算得到InAsP/InGaAsP量子阱能级，从获取最大电子限制能量角度设计了量子阱结构参数。InAsP/InGaAsP量子阱材料体系的主要优点在于它的导带带阶大因而有利于电子限制，实现高温度工作性能。该VCSEL器件结构由气态源分子束外延技术生长。InAsP/InGaAsP量子阱VCSEL底部腔镜为GaAs/AlAs分布布拉格反射镜(DBR)，采用高温直接键合方法实现InP基有源区与GaAs/AlAs DBR的融合，顶部腔镜则由多层光学介质膜DBR构成，电流限制孔径则由侧向腐蚀p+－AlInAs/n+－InP工艺实现。
其他摘要	本发明涉及长波长(3μm)InAsP/InGaAsP量子阱垂直腔面发射激光器(VCSEL)及制作方法，其特征在于有源层为InP基的InAsP/InGaAsP应变补偿量子阱。由有效质量模型计算得到InAsP/InGaAsP量子阱能级，从获取最大电子限制能量角度设计了量子阱结构参数。InAsP/InGaAsP量子阱材料体系的主要优点在于它的导带带阶大因而有利于电子限制，实现高温度工作性能。该VCSEL器件结构由气态源分子束外延技术生长。InAsP/InGaAsP量子阱VCSEL底部腔镜为GaAs/AlAs分布布拉格反射镜(DBR)，采用高温直接键合方法实现InP基有源区与GaAs/AlAs DBR的融合，顶部腔镜则由多层光学介质膜DBR构成，电流限制孔径则由侧向腐蚀p+－AlInAs/n+－InP工艺实现。
主权项	一种InAsP/InGaAsP量子阱为有源层的垂直腔型面发射激光器，包括衬底、底部分布反馈布拉格腔镜和顶部分布反馈布拉格腔镜，中间夹有一个光学谐振微腔，光学谐振微腔包含一个掩埋隧道结和一个侧向电流限制孔径，其特征在于有源层是InP基的InAsP/InGaAsP应变补偿量子阱，InAsP/InGaAsP量子阱垂直腔面半导体激光器的底部腔镜由GaAs基DBR与InP基有源区高温直接键合，顶部腔镜采用多层光学介质膜DBR构成。
申请日期	2008-09-27
专利号	CN101685942A
专利状态	失效
申请号	CN200810200655.8
公开（公告）号	CN101685942A
IPC 分类号	H01S5/343 \| H01S5/183
专利代理人	潘振甦
代理机构	上海智信专利代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63382
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院上海微系统与信息技术研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	劳燕锋,曹春芳,吴惠桢,等. InAsP/InGaAsP量子阱为有源层的垂直腔面发射激光器及方法. CN101685942A[P]. 2010-03-31.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN101685942A.PDF（674KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文