一种提高Ⅲ－Ⅴ族应变多量子阱发光强度的方法

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	一种提高Ⅲ－Ⅴ族应变多量子阱发光强度的方法
其他题名	一种提高Ⅲ－Ⅴ族应变多量子阱发光强度的方法
	吴惠桢; 曹萌; 劳燕锋; 黄占超; 刘成; 谢正生
	2007-03-21
专利权人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所
公开日期	2007-03-21
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明提供一种提高III－V族应变多量子阱发光强度的方法，其特征是通过离子刻蚀方法增强III－V族发光材料的发光亮度。离子刻蚀覆盖层采用感应耦合等离子体(ICP)或反应离子(RIE)等刻蚀技术。刻蚀所采用的气体为Ar离子或Ar离子和Cl2气的混合气体。干法刻蚀后，刻蚀表面至量子阱层的距离大于刻蚀损伤深度时，量子阱干法刻蚀部位发光强度得到明显增强。本发明提供的方法适用的III－V族化合物材料是由气态源分子束外延(GSMBE)或金属有机物化学气相沉积(MOCVD)等方法生长所得，利用本发明提供的方法可使应变多量子阱发光强度提高3－5倍。
其他摘要	本发明提供一种提高III－V族应变多量子阱发光强度的方法，其特征是通过离子刻蚀方法增强III－V族发光材料的发光亮度。离子刻蚀覆盖层采用感应耦合等离子体(ICP)或反应离子(RIE)等刻蚀技术。刻蚀所采用的气体为Ar离子或Ar离子和Cl2气的混合气体。干法刻蚀后，刻蚀表面至量子阱层的距离大于刻蚀损伤深度时，量子阱干法刻蚀部位发光强度得到明显增强。本发明提供的方法适用的III－V族化合物材料是由气态源分子束外延(GSMBE)或金属有机物化学气相沉积(MOCVD)等方法生长所得，利用本发明提供的方法可使应变多量子阱发光强度提高3－5倍。
申请日期	2006-10-13
专利号	CN1933263A
专利状态	失效
申请号	CN200610117154.4
公开（公告）号	CN1933263A
IPC 分类号	H01S5/343 \| H01L33/00
专利代理人	潘振甦
代理机构	上海智信专利代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90683
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院上海微系统与信息技术研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	吴惠桢,曹萌,劳燕锋,等. 一种提高Ⅲ－Ⅴ族应变多量子阱发光强度的方法. CN1933263A[P]. 2007-03-21.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN1933263A.PDF（416KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文