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用于III－V族化合物器件的低温Au－In－Au键合方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101295753A, 申请日期: 2008-10-29, 公开日期: 2008-10-29
发明人:  谢正生;  吴惠桢;  劳燕锋;  刘成;  曹萌;  黄占超
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一种提高Ⅲ－Ⅴ族应变多量子阱发光强度的方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1933263A, 申请日期: 2007-03-21, 公开日期: 2007-03-21
发明人:  吴惠桢;  曹萌;  劳燕锋;  黄占超;  刘成;  谢正生
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用于半导体激光器后腔面的高反射率膜系的镀膜夹具 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1265519C, 申请日期: 2006-07-19, 公开日期: 2006-07-19
发明人:  吴惠桢;  黄占超;  劳燕锋;  沈勤我;  齐鸣;  封松林
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一种含隧道结的垂直腔型光电子器件 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1780004A, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2006-05-31
发明人:  吴惠桢;  黄占超;  劳燕锋;  刘成;  齐鸣;  封松林
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