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| 半导体激光器装置及其制造方法 专利 专利类型: 授权发明, 专利号: CN102214894B, 申请日期: 2013-07-24, 公开日期: 2013-07-24 发明人: 久义浩; 田中秀幸; 八代正和; 幸长则善
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| 半導體雷射裝置 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: TW201110490A, 申请日期: 2011-03-16, 公开日期: 2011-03-16 发明人: 高瀨禎; 多田仁史; 前原宏昭; 久義浩; 佐久間仁
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| 电极图形以及引线接合方法 专利 专利类型: 授权发明, 专利号: CN101272034B, 申请日期: 2010-09-29, 公开日期: 2010-09-29 发明人: 久义浩; 山口勉; 田中秀幸; 松尾和则
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| 电极图形以及引线接合方法 专利 专利类型: 授权发明, 专利号: CN101272034B, 申请日期: 2010-09-29, 公开日期: 2010-09-29 发明人: 久义浩; 山口勉; 田中秀幸; 松尾和则
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| 半導体レーザ及びその製造方法 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: JP2009059792A, 申请日期: 2009-03-19, 公开日期: 2009-03-19 发明人: 立岡 靖晃; 久 義浩; 森 健三
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| 半导体发光装置及其制造方法 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: CN101350500A, 申请日期: 2009-01-21, 公开日期: 2009-01-21 发明人: 久义浩; 山口勉; 西田武弘; 平松健司
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| 半導体発光装置 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: JP2007227724A, 申请日期: 2007-09-06, 公开日期: 2007-09-06 发明人: 久 義浩; 高瀬 禎
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| 半導體光學裝置 专利 专利类型: 授权发明, 专利号: TWI222252B, 申请日期: 2004-10-11, 公开日期: 2004-10-11 发明人: 羽田英樹; 境野剛; 久義浩
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| 半導体レーザの製造方法及びその構造 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000068605A, 申请日期: 2000-03-03, 公开日期: 2000-03-03 发明人: 久 義浩
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| 光変調器付半導体レーザダイオード及びその製造方法 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999354883A, 申请日期: 1999-12-24, 公开日期: 1999-12-24 发明人: 久 義浩
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