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半导体激光器装置及其制造方法
其他题名半导体激光器装置及其制造方法
久义浩; 田中秀幸; 八代正和; 幸长则善
2013-07-24
专利权人三菱电机株式会社
公开日期2013-07-24
授权国家中国
专利类型授权发明
摘要本发明的目的在于得到能够低价且简单地制造的在高温特性方面优良的半导体激光器装置及其制造方法。利用模塑树脂(2)将导线(3)固定在框架(1)上。利用焊料(4)将副固定件(5)接合在框架(1)上,利用焊料(6)将半导体激光器芯片(7)接合在副固定件(5)上。这样,利用焊料(4)将框架(1)和副固定件(5)连接,所以能够改善散热性。并且,采用耐热温度比焊料(4、6)的熔点高的模塑树脂(2)。因此,将装载的框架(1)、副固定件(5)及半导体激光器芯片(7)加热,使焊料(4、6)熔融,能够使框架(1)、副固定件(5)及半导体激光器芯片(7)彼此同时接合。
其他摘要本发明的目的在于得到能够低价且简单地制造的在高温特性方面优良的半导体激光器装置及其制造方法。利用模塑树脂(2)将导线(3)固定在框架(1)上。利用焊料(4)将副固定件(5)接合在框架(1)上,利用焊料(6)将半导体激光器芯片(7)接合在副固定件(5)上。这样,利用焊料(4)将框架(1)和副固定件(5)连接,所以能够改善散热性。并且,采用耐热温度比焊料(4、6)的熔点高的模塑树脂(2)。因此,将装载的框架(1)、副固定件(5)及半导体激光器芯片(7)加热,使焊料(4、6)熔融,能够使框架(1)、副固定件(5)及半导体激光器芯片(7)彼此同时接合。
授权日期2013-07-24
申请日期2011-04-02
专利号CN102214894B
专利状态失效
申请号CN201110083417.5
公开(公告)号CN102214894B
IPC 分类号H01S5/022
专利代理人闫小龙 | 王忠忠
代理机构中国专利代理(香港)有限公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42587
专题半导体激光器专利数据库
作者单位三菱电机株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
久义浩,田中秀幸,八代正和,等. 半导体激光器装置及其制造方法. CN102214894B[P]. 2013-07-24.
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CN102214894B.PDF(782KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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