Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ及びその製造方法 | |
| 其他题名 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
| 立岡 靖晃; 久 義浩; 森 健三 | |
| 2009-03-19 | |
| 专利权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 公开日期 | 2009-03-19 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】放熱性を悪化させることなく、ジャンクションダウン組み立てによって偏光特性が変化するのを防ぐことができる半導体レーザ及びその製造方法を得る。 【解決手段】半導体基板11上に、2つの光導波路13,14を持つレーザ部12が形成されている。そして、光導波路13,14同士の間の光導波路が存在しない領域においてチップ端面に凹部15が形成されている。これにより、ジャンクションダウン組み立てした場合に、隣接する光導波路の半田接合部からそれぞれの光導波路13,14のチップ端面にかかる応力を緩和することができる。 【選択図】図1 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：获得一种半导体激光器，其能够防止由于结合安装而导致的偏振特性的变化，同时避免减少散热，并且还提供一种制造半导体激光器的方法。解决方案：在半导体衬底11上形成具有两个光波导13,14的激光器部分12.在光波导13,14之间不存在光波导的区域中的芯片端面中形成凹槽15。该结构通过结合安装制成，分别从相邻光波导之间的焊接点施加到光波导13,14的芯片端面上的应力可以减小。 Ž |
| 申请日期 | 2007-08-30 |
| 专利号 | JP2009059792A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP2007224209 |
| 公开（公告）号 | JP2009059792A |
| IPC 分类号 | H01S5/022 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 高田 守 | 高橋 英樹 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88492 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 立岡 靖晃,久 義浩,森 健三. 半導体レーザ及びその製造方法. JP2009059792A[P]. 2009-03-19. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2009059792A.PDF（93KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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