Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザの製造方法及びその構造 | |
| 其他题名 | 半導体レーザの製造方法及びその構造 |
| 久 義浩 | |
| 2000-03-03 | |
| 专利权人 | 三菱電機株式会社 |
| 公开日期 | 2000-03-03 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 良好な素子分離特性を有し、高集積化に適した素子分離構造を備えた半導体レーザを提供する。 【解決手段】 ダミー活性層とイオン注入とを組み合わせることにより、比較的浅くイオンを注入するだけで高抵抗領域の形成が可能となり、分離溝を形成することなく素子分離を行うことができる。特に、ダミー活性層上のクラッド層がn型の場合には、一旦、p型領域に反転させた後にプロトンイオンを注入することにより、高抵抗化が可能となる。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：获得包括元件绝缘结构的半导体激光器，其具有良好的元件绝缘特性并且适于通过从伪有源层上的第二覆层的表面注入离子来高度集成，以增加虚设的电阻有源层和伪有源层上的第二覆层。解：在形成电流阻挡层的部分上的p型覆层4，有源层3和n型覆层2被干蚀刻，以缩小有源层3和虚设有源层3'之间的距离。然后，在p型阻挡层6，n型阻挡层7和p型阻挡层6'中依次进行晶体生长。在发光区域中，有源层3的宽度变窄。然后，在再生长p型覆层4之后，生长p型接触层8。然后，注入诸如He的离子10以比虚设有源层3'更深，以形成绝缘区域9.因此，从表面到至少虚设有源层3'的区域的电阻增加，以提供绝缘区域9。 。 |
| 主权项 | - |
| 申请日期 | 1998-08-26 |
| 专利号 | JP2000068605A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1998240054 |
| 公开（公告）号 | JP2000068605A |
| IPC 分类号 | H01S5/30 | H01L21/76 | C23F4/00 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 青山 葆 (外1名) |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64422 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 久 義浩. 半導体レーザの製造方法及びその構造. JP2000068605A[P]. 2000-03-03. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2000068605A.PDF（52KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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