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| 発光部材とこれを用いた投光構造体 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2015011796A, 申请日期: 2015-01-19, 公开日期: 2015-01-19
发明人: 山中 一彦; 森本 廉; 白石 誠吾; 長崎 純久; 寺内 一彦; 上村 信行
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| 半導体発光素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3792003B2, 申请日期: 2006-04-14, 公开日期: 2006-06-28
发明人: 上村 信行; 長谷川 義晃; 石橋 明彦; 原 義博; 木戸口 勲; 粂 雅博
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| 半導体装置及び光ピックアップ装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2001217500A, 申请日期: 2001-08-10, 公开日期: 2001-08-10
发明人: 伊藤 国雄; 上村 信行; 油利 正昭
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| 半導体発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998321942A, 申请日期: 1998-12-04, 公开日期: 1998-12-04
发明人: 上村 信行; 長谷川 義晃; 石橋 明彦; 原 義博; 木戸口 勲; 粂 雅博; 伴 雄三郎
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| 半導体発光素子の製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998242576A, 申请日期: 1998-09-11, 公开日期: 1998-09-11
发明人: 原 義博; 石橋 明彦; 長谷川 義晃; 上村 信行; 粂 雅博; 伴 雄三郎; 木戸口 勲
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| 窒化ガリウム系半導体の製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998150245A, 申请日期: 1998-06-02, 公开日期: 1998-06-02
发明人: 長谷川 義晃; 石橋 明彦; 上村 信行; 原 義博; 粂 雅博; 伴 雄三郎
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| 半導体の製造方法及び半導体発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998075018A, 申请日期: 1998-03-17, 公开日期: 1998-03-17
发明人: 石橋 明彦; 伴 雄三郎; 原 義博; 上村 信行; 粂 雅博
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| 半導体レーザの製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998070335A, 申请日期: 1998-03-10, 公开日期: 1998-03-10
发明人: 原 義博; 伴 雄三郎; 粂 雅博; 石橋 明彦; 上村 信行; 長谷川 義晃
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| 半導体レーザー装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998027940A, 申请日期: 1998-01-27, 公开日期: 1998-01-27
发明人: 粂 雅博; 伴 雄三郎; 原 義博; 石橋 明彦; 上村 信行; 長谷川 義晃
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| 半導体レーザ 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998027947A, 申请日期: 1998-01-27, 公开日期: 1998-01-27
发明人: 粂 雅博; 伴 雄三郎; 原 義博; 石橋 明彦; 上村 信行; 長谷川 義晃
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