半導体レーザ

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	半導体レーザ
其他题名	半導体レーザ
	粂雅博; 伴雄三郎; 原義博; 石橋明彦; 上村信行; 長谷川義晃
	1998-01-27
专利权人	MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
公开日期	1998-01-27
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】動作電圧が低く単一モードで発振する半導体レーザを実現する。【解決手段】 SiC基板102上にn型AlNバッファ層103、n型AlGaNクラッド層104、InGaN活性層105、p型AlGaNクラッド層106があり、ストライプ状の開口部の両側にはInGaN界面層105、n型AlGaN電流阻止層108があり、ストライプ状開口部の中及び電流阻止層の上にはp型AlGaNクラッド層109、p型GaNコンタクト層110がある。ストライプ状開口部内において、p型AlGaNクラッド層106は同じくp型AlGaNクラッド層109と接しており、この領域を通して活性層に電流が注入される。電流阻止層108とp型クラッド層106の間にはInGaN界面層107がある。界面層はAlを含んでいないため、エッチング後表面を大気に曝しても酸化は少なくすることが出来、2回目のMOCVD成長時にInGaN層をリアクター内で蒸発させることによって、良好な再結晶成長界面を得、動作電圧を低減することができる。
其他摘要	要解决的问题：提供工作电压低的半导体激光器，以便在单一模式下振荡。解决方案：SiC衬底102覆盖有n型AlN缓冲层103，n型AlGaN覆层104，InGaN有源层105和p型AlGaN覆层106.InGaN界面层107和n在条形开口部分的两侧沉积AlGaN电流阻挡层108，并且在条形开口部分和p形GaN开口部分上沉积p型AlGaN包层109和p型GaN接触层110。电流阻挡层。在条形开口部分中，使p型AlGaN包层106与相同的p型AlGaN包层109接触，并且通过该区域将电流注入到有源层中。在电流阻挡层108和p型覆层106之间存在InGaN界面层107.由于界面层不含Al，即使在蚀刻后暴露于空气中，也可以抑制其表面的氧化。并且，在第二MOCVD生长中在反应器中蒸发InGaN层，从而获得优异的再结晶生长界面，并且可以降低操作电压。
申请日期	1996-07-12
专利号	JP1998027947A
专利状态	失效
申请号	JP1996183002
公开（公告）号	JP1998027947A
IPC 分类号	H01L33/34 \| H01S5/323 \| H01S5/343 \| H01L33/12 \| H01L33/06 \| H01S5/223 \| H01L33/14 \| G11B7/125 \| H01L33/32 \| H01S5/00 \| H01L33/28 \| H01S3/18 \| H01L33/00
专利代理人	滝本智之 (外1名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75978
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
推荐引用方式 GB/T 7714	粂雅博,伴雄三郎,原義博,等. 半導体レーザ. JP1998027947A[P]. 1998-01-27.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1998027947A.PDF（36KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文