半導体レーザー装置

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	半導体レーザー装置
其他题名	半導体レーザー装置
	粂雅博; 伴雄三郎; 原義博; 石橋明彦; 上村信行; 長谷川義晃
	1998-01-27
专利权人	松下電器産業株式会社
公开日期	1998-01-27
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】動作電圧が低く、活性層に平行方向のレーザー光が屈折率分布で閉じ込められて、単一モードで連続発振する低しきい値の半導体レーザー装置を実現する。【解決手段】 MOVPE法を用い、まずp型SiC基板302上に、p型AlNバッファー層303からn型AlGaNクラッド層306までの各層を結晶成長する。次に結晶成長後SiO2膜311をCVD法により全面に堆積し、ホトリソグラフィとエッチングによりストライプ状のリッジ310を形成する。再びMOVPE法により、絶縁層307を成長する。この時、SiO2膜上には結晶成長せずにリッジの両側のみを絶縁層で埋めることが出来る。最後に、SiO2膜をエッチングで除去した後もう一度MOVPE法によりn型GaNコンタクト層308を結晶成長し、n側電極309とp型基板側電極301を蒸着して半導体レーザーが完成する。p型SiC基板を用いて、基板と反対側のn側の電極を形成する半導体層をn型とすることにより、接触抵抗を小さくでき、動作電流の低減が図れる。
其他摘要	一个工作电压低，平行于有源层方向的激光束由折射率分布限制，实现具有以单一模式低阈值连续振荡的半导体激光装置。首先，通过MOVPE在p型SiC衬底302上生长从p型AlN缓冲层303到n型AlGaN覆盖层306的每个层。在晶体生长之后，通过CVD方法在整个表面上沉积SiO 2膜311，并且通过光刻和蚀刻形成条纹脊310。通过MOVPE方法再次生长绝缘层307。此时，可以仅在绝缘层上填充脊的两侧而在SiO 2膜上没有晶体生长。最后，在n型GaN接触层308，通过再次MOVPE法通过蚀刻移除SiO 2膜之后生长，半导体激光器是通过沉积在n侧电极309和p型衬底侧电极301完成。通过使用p型SiC衬底并使形成与衬底相对的n侧电极的半导体层为n型，可以减小接触电阻并且可以减小工作电流。
申请日期	1996-07-12
专利号	JP1998027940A
专利状态	失效
申请号	JP1996183001
公开（公告）号	JP1998027940A
IPC 分类号	H01S5/323 \| H01S5/343 \| H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	滝本智之 (外1名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75746
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	松下電器産業株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	粂雅博,伴雄三郎,原義博,等. 半導体レーザー装置. JP1998027940A[P]. 1998-01-27.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1998027940A.PDF（39KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文