半導体の製造方法及び半導体発光素子

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	半導体の製造方法及び半導体発光素子
其他题名	半導体の製造方法及び半導体発光素子
	石橋明彦; 伴雄三郎; 原義博; 上村信行; 粂雅博
	1998-03-17
专利权人	松下電器産業株式会社
公开日期	1998-03-17
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】高品質で且つ電気的特性及び光学的特性の優れた窒化ガリウム系半導体を製造できるようにする。【解決手段】まず、バッファードフッ酸にSiCよりなる半導体基板11を10分間浸して、該半導体基板11の表面の酸化膜をエッチング除去する。その後、MOVPE法を用いて、温度が1090℃で半導体基板11上に、TMAを10μモル/分、NH3を2.5L/分及びキャリア用水素を2L/分の割合で供給することにより、半導体基板11の主面に単結晶のAlNよりなり、厚さが15nmのバッファ層12を成長させる。次に、温度を800℃に下げ、TMAを0.2μモル/分、TMGを2μモル/分、TMIを20μモル/分及びNH3を5L/分の割合で供給することにより、バッファ層12の上にAlGaInNよりなる単結晶層13を成長させる。
其他摘要	要解决的问题：生产具有高质量和优异电特性和光学特性的氮化镓半导体。将由SiC制成的半导体衬底浸入缓冲的氢氟酸中10分钟，并通过蚀刻去除半导体衬底表面上的氧化膜。此后，通过使用MOVPE方法，在1090℃的温度下，以10L / min的速率引入TMA，以2.5L / min的速率引入NH 3 ，并且在1090℃的温度下以2L / min的速率引入载流子氢在半导体基板11上。在半导体基板11的主表面上生长厚度为15nm的单晶AlN缓冲层12。接下来，将温度降低至800℃，以0.2μmol/ min的速率供应TMA，以2μmol/ min的速率供应TMG，以20μmol/ min的速率供应TMI，以及以5L / min的速率供应NH 3 。由此在缓冲层12上生长AlGaInN的单晶层13。
主权项	-
申请日期	1997-06-02
专利号	JP1998075018A
专利状态	失效
申请号	JP1997143868
公开（公告）号	JP1998075018A
IPC 分类号	H01S5/323 \| C30B29/40 \| H01L33/12 \| C23C16/18 \| H01L33/32 \| H01S5/00 \| H01L21/205 \| H01S3/18 \| H01L33/00
专利代理人	前田弘 (外2名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65804
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	松下電器産業株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	石橋明彦,伴雄三郎,原義博,等. 半導体の製造方法及び半導体発光素子. JP1998075018A[P]. 1998-03-17.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1998075018A.PDF（58KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文